[实用新型]掩膜版

说明书

本公开提供一种掩膜版，包括多组掩膜图形，以及位于所述掩膜版边缘和相邻两组所述掩膜图形之间的对准标记单元；其中，每组所述掩膜图形用于不同膜层的光刻工艺。所述对准标记可同时实现掩膜版形状的校正和掩膜版的对准，优化各膜层图案之间的套刻误差。

技术领域

本公开涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种掩膜版。

背景技术

目前，集成电路产品开发和制造成本中，掩膜版制作的费用占了很大比例。以制作的0.35μm类产品为例，掩膜版费用接近或超过总开发费用的50％。如果采用更先进的0.25μm，0.18μm工艺，掩膜版费用将会变得更高。为了减少掩膜版制作费用，降低开发成本，目前各集成电路厂商普遍采用的方法是多层掩膜版(Multiple Layer Reticle，MLR)，即在同一张掩膜版上制作多个不同层的掩膜图形，以降低掩膜版成本。

另外，掩膜版的边缘通常设置有对准标记，光刻机上的传感器通过该对准标记实现掩膜版形状的校正，以及光刻设备、掩膜版和晶圆的对准。由于每个光刻工艺中，MLR只有对应的部分区域进入黄光区进行光刻工艺，而黄光区内的掩膜版部分由于高温的影响导致该部分产生变形，从而使得掩膜版局部变形。如果仍然采用掩膜版边缘的对准标记，将难以同时实现掩膜版形状的校正和掩膜版的对准，导致光刻工艺误差较大，最终产生较大的套刻误差(Overlay，OVL)。

实用新型内容

针对上述问题，本公开提供了一种掩膜版，解决了现有技术中多层掩膜版难以同时实现掩膜版形状的校正和掩膜版的对准，导致套刻误差较大的技术问题。

本公开提供一种掩膜版，包括多组掩膜图形，以及位于所述掩膜版边缘和相邻两组所述掩膜图形之间的对准标记单元；

其中，每组所述掩膜图形用于不同膜层的光刻工艺。

根据本公开的实施例，可选地，每组所述掩膜图形的周围设置有遮光带。

根据本公开的实施例，可选地，所述对准标记单元设置于所述遮光带上。

根据本公开的实施例，可选地，所述对准标记单元包括分别与其相邻的所述掩膜图形对应的子标记单元。

根据本公开的实施例，可选地，所述子标记单元包括分别对应光刻机不同传感器的多排传感器标记。

根据本公开的实施例，可选地，每排所述传感器标记沿着其相邻的所述掩膜图形的边设置。

根据本公开的实施例，可选地，所述传感器包括透射图像传感器和透镜干涉仪。

根据本公开的实施例，可选地，所述传感器标记用于测量对应的所述掩膜图形的畸变量，以及用于实现所述光刻机和所述掩膜版的对准。

根据本公开的实施例，可选地，所述子标记单元中，每排所述传感器标记中的标记数量为多个。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

本公开提供一种掩膜版，包括多组掩膜图形，以及位于所述掩膜版边缘和相邻两组所述掩膜图形之间的对准标记单元；其中，每组所述掩膜图形用于不同膜层的光刻工艺。所述对准标记可同时实现掩膜版形状的校正和掩膜版的对准，优化各膜层图案之间的套刻误差。

附图说明

通过结合附图阅读下文示例性实施例的详细描述可更好地理解本公开的范围。其中所包括的附图是：

图1是本公开一示例性实施例示出的一种掩膜版的结构示意图；

图2是本公开一示例性实施例示出的另一种掩膜版的结构示意图；

图3是本公开一示例性实施例示出的另一种掩膜版的结构示意图；

图4是本公开一示例性实施例示出的另一种掩膜版的结构示意图；