[实用新型]一种改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构有效
申请号: | 202120399652.2 | 申请日: | 2021-02-23 |
公开(公告)号: | CN214335690U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 郑建军;余志辉;钟素文;夏大映;王胜;朱照生 | 申请(专利权)人: | 芜湖长信科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 任晨晨 |
地址: | 241009 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 金属 网格 一体化 电容 式触控屏 附着力 结构 | ||
1.一种改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,包括基板和设置在基板上的BM层,其特征在于,在BM层上的第一OC层和第一导电层之间设附着增强层。
2.根据权利要求1所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述附着增强层完全覆盖第一OC层。
3.根据权利要求1所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述附着增强层包括氧化铌层和二氧化硅层。
4.根据权利要求3所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述氧化铌层设在第一OC层上,所述二氧化硅层设在氧化铌层上。
5.根据权利要求3所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述氧化铌层厚度为
6.根据权利要求3所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述二氧化硅层厚度为
7.根据权利要求1所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述第一导电层上设第二OC层。
8.根据权利要求7所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述第二OC层上设第二导电层。
9.根据权利要求8所述的改善金属网格一体化电容式触控屏附着力的结构,其特征在于,所述第二导电层上设保护层。
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