[实用新型]一种均匀控制的等离子蚀刻装置

权利要求书

1.一种均匀控制的等离子蚀刻装置，其特征是，包括：

等离子箱，定义等离子箱的长度为左右方向，宽度方向为前后方向，高度方向为上下方向，等离子箱上端设置有进气管以用于输入蚀刻气体，下端设置有与进气管上下对应的出气管，出气管内设置有抽气装置，出气管下端用于放置所需蚀刻的硅晶片，等离子箱底部还设置有支脚；

支撑架，支撑架设置在等离子箱内且沿左右方向间隔设置有至少三个，各支撑架上均设置有支撑板，支撑板沿上下方向间隔设置有至少两块；

等离子体发生板，等离子体发生板安装在任意相邻的两个支撑架的处于同一水平面的两块支撑板上，每一个等离子体发生板内均嵌装有多个高压电极和多个低压电极，高压电极与低压电极之间间隔且交替布置，高压电极与低压电极之间的间隙形成放电间隙，各高压电极并联在一起并通过高压端导线接入电源的高压端，各低压电极并联在一起并通过低压端导线接入电源的低压端，等离子体发生板上设有用于固定高压端导线的高压端导线固定槽和用于固定低压端导线的低压端导线固定槽，高压端导线固定槽和低压端导线固定槽相背设置，等离子体发生板上对应放电间隙的位置处设有成排的等离子体排出孔；

不同水平面内的支撑板和设置在对应水平面内的支撑板上的等离子体发生板在上下方向上将等离子箱划分为多个蚀刻气体流通区，各个蚀刻气体流通区通过等离子体排出孔连通；

进气管设置在相邻两个支撑架之间间隙的上方并且与上下方向上间隔布置的各等离子体发生板上下对应，出气管设置在相邻两个支撑架之间间隙的下方并且与上下方向上间隔布置的各等离子体发生板上下对应。

2.根据权利要求1所述的一种均匀控制的等离子蚀刻装置，其特征是，所需蚀刻的硅晶片下端设置有输送机，所述硅晶片沿左右方向间隔放置在所述输送机上。

3.根据权利要求2所述的一种均匀控制的等离子蚀刻装置，其特征是，所述抽气装置的抽气功率可调节。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种均匀控制的等离子蚀刻装置，其特征是，所述等离子体排出孔的轴线方向与进气管和出气管的轴线方向相同。