[实用新型]一种均匀控制的等离子蚀刻装置

说明书

本实用新型涉及一种均匀控制的等离子蚀刻装置，该均匀控制的等离子蚀刻装置包括等离子箱、支撑架和等离子体发生板。等离子箱上方设置有进气管、等离子箱下方设置有出气管、底部设置有支脚，出气管下方设置有所需蚀刻的硅晶片；支撑架在等离子箱内沿左右方向间隔设置有至少三个，各个支撑架上均设置有支撑板，支撑板在对应支撑架上沿上下方向间隔设置有至少两块；等离子体发生板设置在相邻两个支撑架上处于同一水平面的支撑板上；各水平面内的支撑板和等离子体发生板将等离子箱划分为多个蚀刻气体流通区，各个蚀刻气体流通区通过等离子体排出孔连通。本实用新型的一种均匀控制的等离子蚀刻装置使得蚀刻气体能够与等离子体充分接触并携带等离子体对硅晶片进行蚀刻。

技术领域

本实用新型涉及硅晶片的蚀刻技术领域，尤其涉及一种均匀控制的等离子蚀刻装置。

背景技术

蚀刻是把硅晶片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，这样便在硅晶片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是，图形边缘整齐，线条清晰，图形变换差小，且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。

蚀刻包括干式蚀刻和湿式蚀刻，其中干式蚀刻所用气体称蚀刻气体，通常多为氟化物气体，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等，同时等离子体也能够对硅晶片进行蚀刻。

现有技术中一般采用等离子体对硅晶片进行蚀刻，但等离子体在等离子体产生设备中产生后难以移动至所需蚀刻的硅晶片表面，从而导致蚀刻过程缓慢甚至蚀刻效果不佳的现象发生。

实用新型内容

鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种均匀控制的等离子蚀刻装置，以解决现有技术中等离子体难以附着在所需蚀刻的硅晶片表面导致的蚀刻过程缓慢甚至蚀刻效果不佳的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的一种均匀控制的等离子蚀刻装置所采用的技术方案是：

一种均匀控制的等离子蚀刻装置包括：

等离子箱，定义等离子箱的长度为左右方向，宽度方向为前后方向，高度方向为上下方向，等离子箱上端设置有进气管以用于输入蚀刻气体，下端设置有与进气管上下对应的出气管，出气管内设置有抽气装置，出气管下端用于放置所需蚀刻的硅晶片，等离子箱底部还设置有支脚；

支撑架，支撑架设置在等离子箱内且沿左右方向间隔设置有至少三个，各支撑架上均设置有支撑板，支撑板沿上下方向间隔设置有至少两块；

等离子体发生板，等离子体发生板安装在任意相邻的两个支撑架的处于同一水平面的两块支撑板上，每一个等离子体发生板内均嵌装有多个高压电极和多个低压电极，高压电极与低压电极之间间隔且交替布置，高压电极与低压电极之间的间隙形成放电间隙，各高压电极并联在一起并通过高压端导线接入电源的高压端，各低压电极并联在一起并通过低压端导线接入电源的低压端，等离子体发生板上设有用于固定高压端导线的高压端导线固定槽和用于固定低压端导线的低压端导线固定槽，高压端导线固定槽和低压端导线固定槽相背设置，等离子体发生板上对应放电间隙的位置处设有成排的等离子体排出孔；

不同水平面内的支撑板和设置在对应水平面内的支撑板上的等离子体发生板在上下方向上将等离子箱划分为多个蚀刻气体流通区，各个蚀刻气体流通区通过等离子体排出孔连通；

进气管设置在相邻两个支撑架之间间隙的上方并且与上下方向上间隔布置的各等离子体发生板上下对应，出气管设置在相邻两个支撑架之间间隙的下方并且与上下方向上间隔布置的各等离子体发生板上下对应。