[实用新型]一种发光二极管有效
申请号: | 202120426132.6 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN214336737U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 桂亮亮;杨健;蔡家豪;汪琴;汪玉;张家豪 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/38;H01L33/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:衬底;层叠于所述衬底上第一半导体层、有源层和第二半导体层;设于所述第二半导体层上的透明导电层;设于所述第一半导体层的第一电极以及设于所述透明导电层的第二电极,其特征在于:所述透明导电层包括具有复数个凹陷的透射膜层和位于所述透射膜层上的透明膜层,所述凹陷内设置金属膜层。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述透射膜层至少包括两层子透射膜层,所述子透射膜层均具有凹陷,相邻两层子透射膜层的凹陷错位设置。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述透射膜层的厚度范围为100~300埃,所述透明膜层的厚度范围为200~1000埃。
4.根据权利要求3所述的一种发光二极管,其特征在于:所述透明膜层的厚度不小于所述透射膜层的厚度。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述凹陷的形状为圆形、椭圆形或多边形。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述凹陷尺寸为纳米尺度,凹陷的深度范围为50~100埃。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述金属膜层沿所述凹陷的内壁均匀分布。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述金属膜层的厚度范围为20~30埃。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述金属膜层为铝膜层、银膜层中的一种或者两种的组合。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述透明膜层和透射膜层为氧化铟锡层、氧化锌层、氧化锌铟锡层、氧化铟锌层、氧化锌锡层、氧化镓铟锡层、氧化镓铟层、氧化镓锌层、掺杂铝的氧化锌层或掺杂氟的氧化锡层中的一种或者几种的组合。
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