[实用新型]一种发光二极管

说明书

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括:衬底；层叠于所述衬底上第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极以及设于所述透明导电层的第二电极，所述透明导电层包括具有复数个凹陷的透射膜层和位于所述透射膜层上的透明膜层，所述凹陷内设置金属膜层。本实用新型针对透明导电层进行改善，增加整个透明导电层的透射率，并增加折射、透射的效果，从而进一步增强出光效率。

技术领域

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种半导体发光元件，它利用半导体PN结注入式电致发光原理制成。LED具有能耗低、体积小、寿命长、稳定性好、响应快和发光波长稳定等好的光电性能，目前已经在照明、家电、显 示屏、指示灯等领域有很好的应用。

目前LED芯片为改善电压、老化等电性，在LED作业过程中经常通过加厚透明导电层来解决以上缺陷，从而导致透射率低，同时由于透明导电层的厚度较厚，在氧化熔合反应中，下层的透明导电层会存在氧化不完全的现象，更容易影响透明导电层的透射率，使得发光二极管亮度无法达到高标准要求，因此如何进一步提高发光二极管的亮度一直是亟需解决的问题。

发明内容

为进一步提高发光二极管的亮度，本实用新型提供一种发光二极管，包括:衬底；层叠于所述衬底上第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极以及设于所述透明导电层的第二电极，其特征在于：所述透明导电层包括具有复数个凹陷的透射膜层和位于所述透射膜层上的透明膜层，所述凹陷内设置金属膜层。

优选的，所述透射膜层至少包括两层子透射膜层，所述子透射膜层均具有凹陷，相邻两层子透射膜层的凹陷错位设置。

优选的，所述透射膜层的厚度范围为100～300埃，所述透明膜层的厚度范围为200～1000埃。

优选的，所述透明膜层的厚度不小于所述透射膜层的厚度。

优选的，所述凹陷的形状为圆形、椭圆形或多边形。

优选的，所述凹陷尺寸为纳米尺度，凹陷的深度范围为50～100埃。

优选的，所述金属膜层沿所述凹陷的内壁均匀分布。

优选的，所述金属膜层的厚度范围为20～30埃。

优选的，所述金属膜层为铝膜层、银膜层中的一种或者两种的组合。

优选的，所述透明膜层和透射膜层为氧化铟锡层、氧化锌层、氧化锌铟锡层、氧化铟锌层、氧化锌锡层、氧化镓铟锡层、氧化镓铟层、氧化镓锌层、掺杂铝的氧化锌层或掺杂氟的氧化锡层中的一种或者几种的组合。

本实用新型针对透明导电层进行改善，给予透明导电层较高的厚度，以此获得低电压，同时，通过在透明导电层内部设置凹陷，该凹陷结构不会影响透明导电层的整体厚度，但却增加了整个透明导电层的透射率，减少透明导电层对出射光的吸收，有效提高透射率，进而提高LED芯片的发光功率；并且配合凹陷内的金属膜层，以改变出光路径，增加折射、透射的效果，从而进一步增强出光效率。

附图说明

图1为本实用新型之实施例1的结构示意图。

图2为本实用新型之实施例2的结构示意图。

附图标注： 10、衬底；20、第一半导体层；30、有源层；40、第二半导体层； 50、透明导电层；51、透射膜层；511、子透射膜层；52、透明膜层；60、第一电极；70、第二电极；80、凹陷；90、金属膜层。

具体实施方式