[实用新型]一种溅镀沉积设备的晶圆夹具有效
申请号: | 202120487672.5 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN214378384U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 蔡志隆;刘崇志 | 申请(专利权)人: | 泰杋科技股份有限公司;北京利宝生科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;C23C14/34;C23C14/50 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 渠述华 |
地址: | 中国台湾新竹县竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沉积 设备 夹具 | ||
1.一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,在溅镀沉积工艺过程中用于承托一晶圆,所述晶圆夹具呈一圆环形,所述晶圆夹具的内圈向环形中间处延伸有延伸托座,所述延伸托座用于放置上述晶圆,其特征在于:所述晶圆夹具上表面靠近延伸托座处为一沟槽区,该沟槽区布满沟槽。
2.如权利要求1所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述沟槽区为从靠近延伸托座的内圈开始,向着晶圆夹具外圈方向径向延伸1cm~3cm的区域范围。
3.如权利要求1所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述沟槽区的沟槽成交叉状的设计,沟槽深度1mm~2mm,沟槽侧壁倾斜角30°~60°,各沟槽的直角处以喷砂处理成圆弧角。
4.如权利要求1所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述沟槽区的沟槽成嵌套的环状设计,沟槽深度1mm~2mm,沟槽侧壁倾斜角30°~60°,各沟槽的直角处以喷砂处理成圆弧角。
5.如权利要求4所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述沟槽区沿径向设有多条横隔沟槽,各横隔沟槽连通相邻的环状的沟槽,各横隔沟槽成间距15°~30°的环状分布。
6.如权利要求1-5任一一项所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述晶圆夹具表面布满一层氮化钽屏敝膜。
7.如权利要求6所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述氮化钽屏敝膜膜厚20μm~150μm。
8.如权利要求6所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述沟槽区的氮化钽屏敝膜表面再熔喷一层铝膜。
9.如权利要求8所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述铝膜膜厚20μm~250μm。
10.如权利要求1所述的一种溅镀沉积设备的晶圆夹具,其特征在于:所述晶圆夹具的上部外径边做一倒角处理,角度为105°~135°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造