[实用新型]一种半导体干法刻蚀设备腔体保护装置有效

专利信息
申请号: 202120502466.7 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN214378351U 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 宋大猛;林保璋;金南国;姜洪中 申请(专利权)人: 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01J37/32
代理公司: 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 代理人: 俞晨波
地址: 315100 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 刻蚀 设备 保护装置
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体干法刻蚀设备腔体保护装置,包括:防护板,所述防护板的两侧设置有安装板且安装板与防护板之间一体成型,所述防护板的顶部设置有弯折部,所述防护板的内部设置有减重槽且减重槽呈凸字形结构设置。本实用新型防护板呈半弧形结构设置与干法刻蚀设备腔体之间相互对应,同时两侧设置的安装板方便与干法刻蚀设备固定,减重槽的设置在保证了防护板结构强度的同时,减轻重量,实现轻量化装配,弯折部向内延伸,型防护结构,增加了防护板的防护能力,该装置在设备进行正常的维护保养时候把脏的腔体保护装置拆下,然后把备用的腔体保护装置直接装在设备腔体上,这样可以提高设备维护保养的效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域,更具体为一种半导体干法刻蚀设备腔体保护装置。

背景技术

在半导体干法刻蚀工艺领域,目前半导体制造公司在大量使用干法刻蚀设备,但是在现实的干法金属刻蚀工艺制程中由于使用氯气和三氯化硼两种具有腐蚀特性的气体,设备腔体会在使用三到五年左右由于氯气和三氯化硼两种特殊气体具有腐蚀特性,易腐蚀设备腔体造成设备腔体的报废。因此,需要提供一种新的技术方案给予解决。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体干法刻蚀设备腔体保护装置,解决了现有技术中干法金属刻蚀工艺制程中由于使用氯气和三氯化硼两种具有腐蚀特性的气体,设备腔体会在使用三到五年左右由于氯气和三氯化硼腐蚀造成腔体的报废问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体干法刻蚀设备腔体保护装置,包括:防护板,所述防护板的两侧设置有安装板且安装板与防护板之间一体成型,所述防护板的顶部设置有弯折部,所述防护板的内部设置有减重槽且减重槽呈凸字形结构设置,所述减重槽设置有两组并以防护板的中心线呈对称分布。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述防护板呈半弧形结构设置且安装板与防护板之间弯折。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述弯折部与防护板之间一体成型且弯折部向防护板的内侧延伸。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述安装板的内部设置有固定孔且安装板通过螺栓贯穿固定孔与刻蚀设备固定。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述防护板的底部设置有底板且底板呈半圆形结构设置,所述底板与防护板之间焊接固定。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

本实用新型防护板呈半弧形结构设置与干法刻蚀设备腔体之间相互对应,同时两侧设置的安装板方便与干法刻蚀设备固定,减重槽的设置在保证了防护板结构强度的同时,减轻重量,实现轻量化装配,弯折部向内延伸,型防护结构,增加了防护板的防护能力,该装置在设备进行正常的维护保养时候把脏的腔体保护装置拆下,然后把备用的腔体保护装置直接装在设备腔体上,这样可以提高设备维护保养的效率,保养维护结束后把脏的腔体保护装置清洗,待下次更换,该装置提升半导体干法刻蚀腔体的寿命提升一倍达到十年的使用寿命,这样既提高了设备腔体的使用寿命又减轻了设备维护保养的工作量,更好的提升了半导体刻蚀设备的使用效率。

附图说明

图1为本实用新型正视结构示意图;

图2为本实用新型俯视结构示意图;

图3为本实用新型剖面结构示意图。

图中:1、防护板;2、安装板;3、固定孔;4、弯折部;5、减重槽;6、底板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

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