[实用新型]一种介质波导滤波器及容性耦合结构

说明书

本实用新型公开了一种介质波导滤波器及容性耦合结构，介质波导滤波器包括两个介质谐振器与容性耦合结构，两个介质谐振器通过所述容性耦合结构耦合连接，容性耦合结构包括沿上下方向依次设置的容性耦合通孔以及与容性耦合通孔连通且具有空腔的容性耦合腔体，容性耦合腔体的横截面积大于容性耦合通孔的横截面积；以及上述应用于介质波导滤波器的容性耦合结构；该介质波导滤波器能够在实现电容耦合的同时有效拉远寄生频率，降低寄生频率对带外抑制性能的影响，同时在陶瓷材料高温烧结时容性耦合孔的形状和精度变化小，电气性能稳定。

技术领域

本实用新型属于无线通信技术领域，具体涉及一种介质波导滤波器及容性耦合结构。

背景技术

随着5G时代的到来，无线通信基站越来越密集，对基站的体积要求也是越来越小，因此对于基站里面射频前端的滤波器模块，要求也是越来也高。传统金属滤波器存在着体积大，重量重等缺陷，无法满足5G通信的需求。由此，介质波导滤波器应运而生，它在相同的谐振频率下，介质材料的介电常数更高，体积更小，重量更轻。介质波导滤波器主要以感性耦合为主，但为了提高通带外的抑制性能，需要加入容性耦合，以便在通带外产生传输零点，从而提升抑制性能。

通常的容性耦合结构是一种直上直下的盲孔，当需要50兆以下的耦合量时，盲孔会非常深，至少是调试孔的两倍。而且因为盲孔变的很深，会在离通带很近的频率产生谐波，影响介质滤波器的带外抑制性能；孔深还容易导致陶瓷材料高温烧结的时候产生收缩或坍塌，使得容性耦合孔的形状和精度发生较大改变，影响介质滤波器的电气性能。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种改进的介质波导滤波器，该介质波导滤波器能够在实现电容耦合的同时有效拉远寄生频率，降低寄生频率对带外抑制性能的影响，同时在陶瓷材料高温烧结时容性耦合孔的形状和精度变化小，电气性能稳定。

本实用新型同时还提供了一种新型的容性耦合结构。

为达到上述目的，本实用新型采用的一种技术方案是：

一种介质波导滤波器，所述介质波导滤波器包括两个介质谐振器与容性耦合结构，两个所述介质谐振器通过所述容性耦合结构耦合连接，所述容性耦合结构包括沿上下方向依次设置的容性耦合通孔以及与所述容性耦合通孔连通且具有空腔的容性耦合腔体，所述容性耦合腔体的横截面积大于所述容性耦合通孔的横截面积。

根据本实用新型的一些优选方面，所述容性耦合通孔沿上下方向延伸，所述容性耦合腔体沿水平方向延伸。根据本实用新型的一个具体方面，所述容性耦合通孔沿竖直方向延伸，所述容性耦合腔体沿水平方向延伸。

根据本实用新型的一些优选方面，所述容性耦合通孔与所述容性耦合腔体的上部的中部连通。

根据本实用新型的一些优选且具体的方面，所述介质波导滤波器包括两个调试孔和介质波导滤波器本体，两个所述介质谐振器由两个所述调试孔分别与介质波导滤波器本体构成，所述容性耦合结构位于两个所述调试孔之间。

根据本实用新型，所述调试孔的外表面、所述介质波导滤波器本体的外表面分别设置有第一导电层。

根据本实用新型的一些优选方面，所述容性耦合结构在竖直方向上的深度小于等于1.5倍的所述调试孔在竖直方向上的深度。

根据本实用新型，所述容性耦合通孔、所述容性耦合腔体的外表面分别设置有第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层相连接。

根据本实用新型的一些优选方面，所述容性耦合通孔、所述容性耦合腔体一体成型构成所述容性耦合结构。

根据本实用新型的一些优选方面，所述容性耦合通孔的横截面、所述容性耦合腔体的横截面分别为圆形、椭圆形或方形。

根据本实用新型的一些优选方面，所述容性耦合腔体的横截面积大于等于1.5倍的所述容性耦合通孔的横截面积。