[实用新型]具有自适应性能的三相可控硅调压系统

说明书

本实用新型公开一种具有自适应性能的三相可控硅调压系统，设有输入接线单元，所述输入接线单元设有三相电端口A、B、C及可控硅导通角控制信号PWM端口和使能信号EN端口，所述三相电端口A、B、C与三相电同步采样变压器的输入端相接，三相电同步采样变压器的输出端与三相电同步处理单元的输入端相接，三相电同步处理单元的输出端、导通角控制信号PWM端口及使能信号EN端口均与可编程逻辑器件CPLD的输入端相接，可编程逻辑器件CPLD的输出端通过驱动隔离单元与输出接线单元相接，所述输出接线单元设有六个可控硅导通角触发信号输出端口P1P2、P3P4、P5P6、P7P8、P9P10、P11P12。

技术领域

本实用新型涉及一种三相可控硅调压系统，尤其是一种适用于三相可控硅整流逆变拓扑的具有自适应性能的三相可控硅调压系统。

背景技术

三相可控硅调压技术是通过触发控制三对可控硅的导通角以实现输出电压可调输出，已广泛应用于三相全桥逆变电路、三相半桥逆变电路及三相可变升压电路等。目前三相可控硅调压技术普遍采用取电网同步信号输入至以单片机为主的CPU单元进行处理，通过对电网同步信号解析发送可控硅导通角触发信号。存在如下问题：需要配置同步信号取样电路、隔离电路、电平转换电路及驱动电路等一系列结构复杂的电路，故障率高，维护繁琐；CPU单元会因处理生成可控硅触发信号的占用而频繁中断，影响其它主程序的执行，工作效率低；CPU单元需要针对三相可控硅触发后端不同的拓扑结构，单独通过程序校准导通角，通用性差。

实用新型内容

本实用新型是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种适用于三相可控硅整流逆变拓扑的具有自适应性能的三相可控硅调压系统。

本实用新型的技术解决方案是：一种具有自适应性能的三相可控硅调压系统，设有输入接线单元，所述输入接线单元有三相电端口A、B、C及可控硅导通角控制信号PWM端口和使能信号EN端口，所述三相电端口A、B、C与三相电同步采样变压器的输入端相接，三相电同步采样变压器的输出端与三相电同步处理单元的输入端相接，三相电同步处理单元的输出端、导通角控制信号PWM端口及使能信号EN端口均与可编程逻辑器件CPLD的输入端相接，可编程逻辑器件CPLD的输出端通过驱动隔离单元与输出接线单元相接，所述输出接线单元设有六个可控硅导通角触发信号输出端口P1P2、P3P4、P5P6、P7P8、P9P10、P11P12。

所述三相电同步处理单元设有：

与三相电同步采样变压器输出相电压Ta相接的由电阻R1、电容C1构成的一阶滤波电路，电容R1通过限流电阻R2与光耦U2的1脚相接，光耦U2的2脚接地Ty，光耦U2的3脚接数字电源地GND，光耦U2的4脚通过上拉电阻R3接数字电源+Vd并通过由电阻R4、电容C2组成的窄脉冲抑制电路接数字电源地GND，电阻R4的输出与六路施密特反向器U1的9脚相接，六路施密特反向器U1的8脚输出为与相电压Ta的同步方波数字信号Pa；

与三相电同步采样变压器输出相电压Tb相接的由电阻R5、电容C3构成的一阶滤波电路，电容R5通过限流电阻R6与光耦U3的1脚相接，光耦U3的2脚接地Ty，光耦U3的3脚接数字电源地GND，光耦U3的4脚通过上拉电阻R7接数字电源+Vd并通过由电阻R8、电容C4组成的窄脉冲抑制电路接数字电源地GND，电阻R8的输出与六路施密特反向器U1的11脚相接，六路施密特反向器U1的10脚输出为与相电压Tb的同步方波数字信号Pb；

与三相电同步采样变压器输出相电压Tc相接的由电阻R9、电容C5构成的一阶滤波电路，电容R9通过限流电阻R10与光耦U4的1脚相接，光耦U4的2脚接地Ty，光耦U4的3脚接数字电源地GND，光耦U4的4脚通过上拉电阻R11接数字电源+Vd并通过由电阻R12、电容C6组成的窄脉冲抑制电路接数字电源地GND，电阻R12的输出与六路施密特反向器U1的13脚相接，六路施密特反向器U1的12脚输出为与相电压Tc的同步方波数字信号Pc。

所述驱动隔离单元设有：