[实用新型]一种集成电路的大功率三极管有效

专利信息
申请号: 202120528880.5 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN214411203U 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 李财章 申请(专利权)人: 互创(东莞)电子科技有限公司
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 姜华
地址: 523430 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路 大功率 三极管
【权利要求书】:

1.一种集成电路的大功率三极管,包括绝缘封装体(10)、三极管芯片(20)、E极导电片(30)、C极导电片(40)和B极导电片(50),其特征在于,所述B极导电片(50)上设有位于所述绝缘封装体(10)内的绝缘陶瓷板(60),所述绝缘陶瓷板(60)上覆盖有电阻层(61),所述电阻层(61)的两端分别连接有第一电极层(62)和第二电极层(63),所述第一电极远离所述电阻层(61)的一端与所述B极导电片(50)导电连接;

所述三极管芯片(20)的发射极焊接于所述E极导电片(30)上,所述三极管芯片(20)的集电极通过第一导线(21)与所述C极导电片(40)连接,所述三极管芯片(20)的基极通过第二导线(22)与所述第二电极层(63)连接。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路的大功率三极管,其特征在于,所述E极导电片(30)包括依次连接的E极平台部(31)、E极倾斜部(32)和E极接触部(33),所述E极平台部(31)位于所述绝缘封装体(10)内,所述E极接触部(33)位于所述绝缘封装体(10)外,所述E极倾斜部(32)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧壁,所述三极管芯片(20)的发射极连接于所述E极平台部(31)上;所述C极导电片(40)包括依次连接的C极平台部(41)、C极倾斜部(42)和C极接触部(43),所述C极平台部(41)位于所述绝缘封装体(10)内,所述C极接触部(43)位于所述绝缘封装体(10)外,所述C极倾斜部(42)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧壁,所述第一导线(21)连接于所述C极平台部(41)上;所述B极导电片(50)包括依次连接的B极平台部(51)、B极倾斜部(52)和B极接触部(53),所述B极平台部(51)位于所述绝缘封装体(10)内,所述B极接触部(53)位于所述绝缘封装体(10)外,所述B极倾斜部(52)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧壁,所述第二导线(22)连接于所述B极平台部(51)上。

3.根据权利要求2所述的一种集成电路的大功率三极管,其特征在于,所述E极接触部(33)、所述C极接触部(43)和所述B极接触部(53)均为弯曲的U形结构。

4.根据权利要求2或3所述的一种集成电路的大功率三极管,其特征在于,所述E极接触部(33)中设有E极让位孔(331),所述C极接触部(43)中设有C极让位孔(431),所述B极接触部(53)中设有B极让位孔(531)。

5.根据权利要求1所述的一种集成电路的大功率三极管,其特征在于,所述电阻层(61)为二氧化钌层或碳膜层。

6.根据权利要求1所述的一种集成电路的大功率三极管,其特征在于,所述第一电极层(62)和所述第二电极层(63)均为银钯合金层。

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