[实用新型]一种集成电路的大功率三极管有效

专利信息
申请号: 202120528880.5 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN214411203U 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 李财章 申请(专利权)人: 互创(东莞)电子科技有限公司
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 姜华
地址: 523430 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路 大功率 三极管
【说明书】:

实用新型系提供一种集成电路的大功率三极管,包括绝缘封装体、三极管芯片、E极导电片、C极导电片和B极导电片,B极导电片上设有位于绝缘封装体内的绝缘陶瓷板,绝缘陶瓷板上覆盖有电阻层,电阻层的两端分别连接有第一电极层和第二电极层,第一电极远离电阻层的一端与B极导电片导电连接;三极管芯片的发射极焊接于E极导电片上,三极管芯片的集电极通过第一导线与C极导电片连接,三极管芯片的基极通过第二导线与第二电极层连接。本实用新型具有较高的偏置电阻,能够应用于大功率的产品电路中,电阻结构集成封装于绝缘封装体中,整体结构紧凑,且还能够减少产品电路中电阻的使用,能够节省所应用PCB板的空间。

技术领域

本实用新型涉及三极管,具体公开了一种集成电路的大功率三极管。

背景技术

三极管全称半导体三极管,起作用是把微弱信号放大成幅度值的较大信号,也用作无触点开关,三极管芯片是在一块半导体芯片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分时发射区和集电区。

三极管是通过使用三极管芯片封装而成,在应用于大电流的产品电路时,现有技术中的三极管容易被烧坏,为避免被烧坏,通常在三极管的基极与产品电路之间串联设置电阻,虽然这种方式能够降低三极管被烧坏的机率,但产品电路中需要额外设置电阻,不利于产品的小型化设计。

实用新型内容

基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种集成电路的大功率三极管,具有较高的偏置电阻,可输入电流大,且能够节省所应用PCB板的空间。

为解决现有技术问题,本实用新型公开一种集成电路的大功率三极管,包括绝缘封装体、三极管芯片、E极导电片、C极导电片和B极导电片,B极导电片上设有位于绝缘封装体内的绝缘陶瓷板,绝缘陶瓷板上覆盖有电阻层,电阻层的两端分别连接有第一电极层和第二电极层,第一电极远离电阻层的一端与B极导电片导电连接;

三极管芯片的发射极焊接于E极导电片上,三极管芯片的集电极通过第一导线与C极导电片连接,三极管芯片的基极通过第二导线与第二电极层连接。

进一步的,E极导电片包括依次连接的E极平台部、E极倾斜部和E极接触部,E极平台部位于绝缘封装体内,E极接触部位于绝缘封装体外,E极倾斜部贯穿绝缘封装体的侧壁,三极管芯片的发射极连接于E极平台部上;C极导电片包括依次连接的C极平台部、C极倾斜部和C极接触部,C极平台部位于绝缘封装体内,C极接触部位于绝缘封装体外,C极倾斜部贯穿绝缘封装体的侧壁,第一导线连接于C极平台部上;B极导电片包括依次连接的B极平台部、B极倾斜部和B极接触部,B极平台部位于绝缘封装体内,B极接触部位于绝缘封装体外,B极倾斜部贯穿绝缘封装体的侧壁,第二导线连接于B极平台部上。

进一步的,E极接触部、C极接触部和B极接触部均为弯曲的U形结构。

进一步的,E极接触部中设有E极让位孔,C极接触部中设有C极让位孔,B极接触部中设有B极让位孔。

进一步的,电阻层为二氧化钌层或碳膜层。

进一步的,第一电极层和第二电极层均为银钯合金层。

本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种集成电路的大功率三极管,设置有可靠的电阻结构串联于三极管芯片的基极与B极导电片之间,具有较高的偏置电阻,可输入电流大,能够应用于大功率的产品电路中,电阻结构集成封装于绝缘封装体中,整体结构紧凑,封装好的三极管尺寸基本不会增大,且还能够减少产品电路中电阻的使用,能够节省所应用PCB板的空间。

附图说明

图1为本实用新型的俯视结构示意图。

图2为本实用新型隐藏绝缘封装体后的立体结构示意图。

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