[实用新型]一种串联式的大功率二极管

权利要求书

1.一种串联式的大功率二极管，其特征在于，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内封装有相互平行的第一芯片(11)、第二芯片(12)、第一电极片(21)和第二电极片(22)，所述第一芯片(11)与所述第一电极片(21)之间连接有第一铜片(31)，所述第一芯片(11)与所述第二芯片(12)之间连接有第二铜片(32)，所述第二芯片(12)与所述第二电极片(22)之间连接有第三铜片(33)；

所述第一铜片(31)内设有第一通孔(311)，所述第一通孔(311)内填充有第一粘结块(312)，所述第一粘结块的两端分别连接所述第一电极片(21)和所述第一芯片(11)，所述第二铜片(32)内设有第二通孔(321)，所述第二通孔(321)内填充有第二粘结块(322)，所述第二粘结块(322)的两端分别连接所述第一芯片(11)和所述第二芯片(12)，所述第三铜片(33)内设有第三通孔(331)，所述第三通孔(331)内填充有第三粘结块(332)，所述第三粘结块(332)的两端分别连接所述第二芯片(12)和所述第二电极片(22)；

所述第一电极片(21)通过第一导电粘结层(23)连接有第一引脚片(40)，所述第一引脚片(40)远离所述第一电极片(21)的一端位于所述绝缘封装体(10)外；所述第二电极片(22)通过第二导电粘结层(24)连接有第二引脚片(50)，所述第二引脚片(50)远离所述第二电极片(22)的一端位于所述绝缘封装体(10)外。

2.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一电极片(21)的中心向远离所述第一芯片(11)的一侧凹陷形成第一凹槽(211)，所述第一铜片(31)卡接于所述第一凹槽(211)中；所述第二电极片(22)的中心向远离所述第二芯片(12)的一侧凹陷形成第二凹槽(221)，所述第二铜片(32)卡接于所述第二凹槽(221)中。

3.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一导电粘结层(23)和第二导电粘结层(24)均为锡膏层。

4.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一粘结块(312)、所述第二粘结块(322)和所述第三粘结块(332)均为导电银胶块。

5.根据权利要求1所述的一种串联式的大功率二极管，其特征在于，所述第一引脚片(40)包括连接成U形的第一内接水平部(41)、第一弯折部(42)和第一外接水平部(43)，所述第一内接水平部(41)插入所述绝缘封装体(10)中与所述第一导电粘结层(23)连接，所述第一弯折部(42)和所述第一外接水平部(43)均位于所述绝缘封装体(10)外；所述第二引脚片(50)包括连接成U形的第二内接水平部(51)、第二弯折部(52)和第二外接水平部(53)，所述第二内接水平部(51)插入所述绝缘封装体(10)中与所述第二导电粘结层(24)连接，所述第二弯折部(52)和所述第二外接水平部(53)均位于所述绝缘封装体(10)外。