[实用新型]一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器

说明书

本实用新型涉及一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，包括：声学镜，包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；底电极层，位于所述声学镜上；压电层，设于所述底电极层上，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂；电极单元，设于所述压电层上；横向反射器，设于所述压电层上，所述横向反射器用于对声波进行横向反射；其中，所述底电极层和电极单元用于形成电场。本实用新型可以在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值。

技术领域

本申请涉及谐振器技术领域，特别是涉及一种厚度方向剪切模式的声学谐振器。

背景技术

射频声学谐振器是用于合成滤波功能或作为频率源的小型微合成结构。声学谐振器由于具有更小的体积和更高的品质因子(Q)，从而取代了手机、小型基站和物联网设备中使用的其他类型的谐振器，声学谐振器可以实现低损耗(低功耗)、高抑制和高信号噪声比，及更为超薄的封装。

随着新的通信标准(即第五代移动网络)的发布，有必要将谐振器的工作范围扩大到更高的频率同时保持高机电耦合系数和高Q值。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种能够在3GHz以上的频率下具有高机电耦合系数和高Q值的厚度方向剪切模式的声学谐振器。

一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，包括：声学镜，包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；底电极层，位于所述声学镜上；压电层，设于所述底电极层上，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂；电极单元，设于所述压电层上；横向反射器，设于所述压电层上，包括位于所述电极单元的第一侧的第一反射器和位于所述电极单元的第二侧的第二反射器，所述第一侧和第二侧为相对侧，所述横向反射器用于对声波进行横向反射；其中，所述底电极层和电极单元用于形成电场。

在其中一个实施例中，所述底电极层和电极单元形成的电场方向主要为所述压电层的厚度方向，所述底电极层和电极单元还用于在整个压电层的厚度上产生剪切模式的机械波。

在其中一个实施例中，离所述底电极层越远的第一声反射层的厚度越厚；离所述底电极层越远的第二声反射层的厚度越厚。

在其中一个实施例中，所述声学镜包括三层第一声反射层和两层第二声反射层，且声学镜中第一声反射层和第二声反射层交替设置。

在其中一个实施例中，所述第一声反射层的材质包括二氧化硅、铝、苯并环丁烯、聚酰亚胺和自旋玻璃中的至少一种，所述第二声反射层的材质包括钼、钨、钛、铂、氮化铝、氧化钨和氮化硅中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述电极单元包括第一公共电极、第二公共电极、多条第一叉指电极及多条第二叉指电极，各所述第一叉指电极与所述第一公共电极电性连接，各所述第二叉指电极与所述第二公共电极电性连接，且各第一叉指电极与各第二叉指电极之间绝缘设置，所述第一公共电极用于接入输入电压，所述第二公共电极用于接地。

在其中一个实施例中，还包括设于所述压电层上的钝化层，所述钝化层覆盖各所述第一叉指电极各所述第二叉指电极。

在其中一个实施例中，所述电极单元的两侧的横向反射器之间的连线方向为所述声波的传播方向；所述底电极层的宽度小于所述第一公共电极和第二公共电极之间的间距，从而使得所述底电极层在所述电极单元所在平面的正投影位于所述第一公共电极和第二公共电极之间；各所述第一声反射层和第二声反射层在所述平面的正投影在所述连线方向上超出所述第一反射器和第二反射器。

在其中一个实施例中，各所述第二声反射层在所述底电极层所在平面的正投影在第一方向上超出所述底电极层的两侧，或各所述第一声反射层和第二声反射层在所述底电极层所在平面的正投影被所述底电极层覆盖；所述第一方向平行于所述声波的传播方向。