[实用新型]一种新型优化理想二极管电路有效
申请号: | 202120539180.6 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN214797418U | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 岳圣玮 | 申请(专利权)人: | 上海麟荣电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海怡恩专利代理事务所(普通合伙) 31336 | 代理人: | 牟俊玲 |
地址: | 201501 上海市金山*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 优化 理想 二极管 电路 | ||
1.一种新型优化理想二极管电路,包括Q3驱动电阻(1),其特征在于:所述Q3驱动电阻(1)的一端电性连接有隔离二极管(2),所述Q3驱动电阻(1)和所述隔离二极管(2)的中间电性连接有控制Q1开关MOS管(7)的栅极,所述控制Q1开关MOS管(7)上的漏极电性连接有Q3检测电阻(6),所述Q3检测电阻(6)和所述控制Q1开关MOS管(7)之间电性连接有Q1驱动电阻(3),所述控制Q1开关MOS管(7)的源极电性连接有限压稳压管(5),所述限压稳压管(5)的另一端与所述Q1驱动电阻(3)的另一端之间电性连接,所述限压稳压管(5)的一端电性连接防反MOS管(4)的源极,所述防反MOS管(4)的栅极与所述限压稳压管(5)的另一端电性连接,所述防反MOS管(4)的漏极与所述隔离二极管(2)的一端电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型优化理想二极管电路,其特征在于:所述Q3驱动电阻(1)和所述Q3检测电阻(6)之间电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种新型优化理想二极管电路,其特征在于:所述控制Q1开关MOS管(7)的源极和所述Q3检测电阻(6)的一端分别电性连接电压输出端。
4.根据权利要求1所述的一种新型优化理想二极管电路,其特征在于:所述隔离二极管(2)的一端和所述Q3驱动电阻(1)的一端分别电性连接电压输入端。
5.根据权利要求1所述的一种新型优化理想二极管电路,其特征在于:所述Q3驱动电阻(1)与所述Q3检测电阻(6)之间并联连接。
6.根据权利要求1所述的一种新型优化理想二极管电路,其特征在于:所述Q1驱动电阻(3)与所述控制Q1开关MOS管(7)之间并联连接,所述Q3检测电阻(6)和所述Q1驱动电阻(3)与所述控制Q1开关MOS管(7)组合之间串联连接。
7.根据权利要求1所述的一种新型优化理想二极管电路,其特征在于:所述限压稳压管(5)与所述防反MOS管(4)之间并联连接。
8.根据权利要求1所述的一种新型优化理想二极管电路,其特征在于:所述隔离二极管(2)和所述限压稳压管(5)与所述防反MOS管(4)组合之间串联连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的