[实用新型]一种新型优化理想二极管电路

说明书

本实用新型公开了一种新型优化理想二极管电路，其技术方案要点是：包括Q3驱动电阻，所述Q3驱动电阻的一端电性连接有隔离二极管，所述Q3驱动电阻和所述隔离二极管的中间电性连接有控制Q1开关MOS管的栅极，所述控制Q1开关MOS管上的漏极电性连接有Q3检测电阻，所述Q3检测电阻和所述控制Q1开关MOS管之间电性连接有Q1驱动电阻，所述控制Q1开关MOS管的栅极电性连接有限压稳压管，所述限压稳压管的另一端与所述Q1驱动电阻的另一端之间电性连接，所述限压稳压管的一端电性连接防反MOS管的源极；经过测试改进后电路可靠性得到提高，D1采用普通二极管，提高产品生产效率，降低成本。

技术领域

本实用新型涉及二极管电路领域，特别涉及一种新型优化理想二极管电路。

背景技术

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。

理想二极管用于降低大电流（一般10A以上）导通条件下的导通损耗。在大电流输出并联场景中应用广泛。

参照现有公开号为CN111614249A的中国专利，其公开了二极管电路，该集成电路具有第一端子和第二端子，并且具有带有控制电极和负载电流路径的MOS晶体管，该MOS晶体管激活和停用在第一端子与第二端子之间的负载电流路径。二极管与MOS晶体管的负载电流路径并联。该集成电路还具有探测器电路，该探测器电路根据第一端子与第二端子之间的电压产生控制信号。该集成电路还具有带有主支路和第一前馈支路的驱动器电路。主支路包括电路组件，该电路组件根据控制信号为MOS晶体管的控制电极产生控制电压，并且前馈支路包括电路组件。

上述的这种二极管电路可以产生充电电流或放电电流作为对控制信号的边沿的反应，充电电流对MOS晶体管的控制电极充电或放电电流使MOS晶体管的控制电极放电。但是上述的这种二极管电路依旧存在着一些缺点，如：一、无法有效的提高电路的可靠性；二、元器件使用较为复杂，不能够将生产效率进行提高，生产成本较高。

发明内容

针对背景技术中提到的问题，本实用新型的目的是提供一种新型优化理想二极管电路，以解决背景技术中提到的问题。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种新型优化理想二极管电路，包括Q3驱动电阻，所述Q3驱动电阻的一端电性连接有隔离二极管，所述Q3驱动电阻和所述隔离二极管的中间电性连接有控制Q1开关MOS管的栅极，所述控制Q1开关MOS管上的漏极电性连接有Q3检测电阻，所述Q3检测电阻和所述控制Q1开关MOS管之间电性连接有Q1驱动电阻，所述控制Q1开关MOS管的源极电性连接有限压稳压管，所述限压稳压管的另一端与所述Q1驱动电阻的另一端之间电性连接，所述限压稳压管的一端电性连接防反MOS管的源极，所述防反MOS管的栅极与所述限压稳压管的另一端电性连接，所述防反MOS管的漏极与所述隔离二极管的一端电性连接。

通过采用上述技术方案，在使用的时候，在电流正方向流动的时候，此时电压通过控制Q1开关MOS管的源极和Q3检测电阻的一端进行输入，然后使得控制Q1开关MOS管实现截止，进而使得防反MOS管通过Q1驱动电阻和Q3检测电阻驱动电阻导通，完成电路的通路，当电流反方向流动的时候，此时控制Q1开关MOS管导通，通过Q1驱动电阻和Q3检测电阻驱动防反MOS管截止。

较佳的，所述Q3驱动电阻和所述Q3检测电阻之间电性连接。

通过采用上述技术方案，能够实现对电路的连接输送。

较佳的，所述控制Q1开关MOS管的源极和所述Q3检测电阻的一端分别电性连接电压输出端，所述隔离二极管的一端和所述Q3驱动电阻的一端分别电性连接电压输入端。

通过采用上述技术方案，能够实现电路的完整运行，电路的通断。