[实用新型]一种可温控电光KTP开关

权利要求书

1.一种可温控电光KTP开关，其特征在于：包括壳体（1）、KTP晶体（7）和单纵模调QND（11），所述壳体（1）底层设置有底座（2），所述壳体（1）一侧设置有温控件（3），所述温控件（3）内侧设置有传导件（4），所述KTP晶体（7）上方设置有V+层（5），所述KTP晶体（7）下方设置有V-层（6），所述KTP晶体（7）前后两侧分别设置有检偏器B（10）和检偏器A（9），所述KTP晶体（7）内侧穿梭有激光束（8），所述单纵模调QND（11）输出端连接有GaAs光电导开关（12），所述GaAs光电导开关（12）输出端连接有分光镜（13），所述分光镜（13）输出端连接有洛匈双棱镜A（14），所述洛匈双棱镜A（14）输出端连接有所述KTP晶体（7），所述KTP晶体（7）输出端连接有洛匈双棱镜B（15）和高压电脉冲形成器（16），所述高压电脉冲形成器（16）输出端连接有所述GaAs光电导开关（12）。

2.根据权利要求1所述的一种可温控电光KTP开关，其特征在于：所述激光束（8）分别穿梭有所述检偏器A（9）、所述KTP晶体（7）和所述检偏器B（10）。

3.根据权利要求1所述的一种可温控电光KTP开关，其特征在于：放在晶体两端的所述检偏器B（10）和所述检偏器A（9）的起偏方向相互正交,并且起偏方向都与z轴成45°角。

4.根据权利要求1所述的一种可温控电光KTP开关，其特征在于：所述单纵模调QND（11）为YLF激光器,工作波长为1.053μm,输出约为50ns的长脉冲。

5.根据权利要求1所述的一种可温控电光KTP开关，其特征在于：所述KTP晶体（7）放置于温控炉里。

6.根据权利要求1所述的一种可温控电光KTP开关，其特征在于：所述激光束（8）为功率恒定的波长为1.053μm的激光。