[实用新型]一种可温控电光KTP开关

说明书

本实用新型公开了一种可温控电光KTP开关，包括壳体、KTP晶体和单纵模调QND，所述壳体底层设置有底座，所述壳体一侧设置有温控件，所述温控件内侧设置有传导件，所述KTP晶体上方设置有V+层，所述KTP晶体下方设置有V‑层，所述KTP晶体前后两侧分别设置有检偏器B和检偏器A，所述KTP晶体内侧穿梭有激光束，所述单纵模调QND11输出端连接有GaAs光电导开关，所述GaAs光电导开关输出端连接有分光镜，所述分光镜输出端连接有洛匈双棱镜A，所述洛匈双棱镜A输出端连接有所述KTP晶体，所述KTP晶体输出端连接有洛匈双棱镜B和高压电脉冲形成器，所述高压电脉冲形成器输出端连接有所述GaAs光电导开关，本实用新型半波电压低、光学破坏阈值高、插入损耗小。

技术领域

本实用新型涉及一种KTP开关，具体为一种可温控电光KTP开关。

背景技术

电光开关是激光系统的重要单元,利用它可以从锁模序列中选出单脉冲,可以对调Q脉冲进行削波,它也是电光隔离器中不可缺少的元件。电光开关性能的不断改进,对一个激光系统提高输出的成功率、稳定性起着十分关键的作用,合理地选择电光材料是提高开关性能的有效途径之一。KDP和LiNbO3是目前广泛应用于普克尔盒的电光材料,但它们都有缺点。LiNbO3晶体普克尔盒有低的半波电压,也不潮解,但由于它的光学破坏阈值低,限制了它在高峰值功率激光系统中的应用,压电效应引起的声光作用使LiNbO3晶体在高重复率激光系统中的运用变得复杂。KDP晶体普克尔盒虽然也有较高的光学破坏阈值,但半波电压相对较高,还潮解,使用时需要密封在一个盒子内,在端面镀增透膜和加折射率匹配材料,进一步增加了器件的插入损耗。

KTP晶体作为相对新的非线性光学材料,有其独特的优点,已被广泛用于腔内倍频钕离子辐射的1μm附近的红外激光。以前的测量表明,KTP晶体还有大的电光系数和低的介电常数,有比LiNbO3晶体大一个量级的光学破坏阈值,并且不潮解,在整个透明波段,插入损耗低。由此可见,KTP普克尔盒保留了以上两种开关优点的同时,克服了它们的缺点。然而,KTP是双折射晶体,我们在应用KTP普克尔盒时,关键是要补偿它的静态双折射。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可温控电光KTP开关，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可温控电光KTP开关，包括壳体、KTP晶体和单纵模调QND，所述壳体底层设置有底座，所述壳体一侧设置有温控件，所述温控件内侧设置有传导件，所述KTP晶体上方设置有V+层，所述KTP晶体下方设置有V-层，所述KTP晶体前后两侧分别设置有检偏器B和检偏器A，所述KTP晶体内侧穿梭有激光束，所述单纵模调QND11输出端连接有GaAs光电导开关，所述GaAs光电导开关输出端连接有分光镜，所述分光镜输出端连接有洛匈双棱镜A，所述洛匈双棱镜A输出端连接有所述KTP晶体，所述KTP晶体输出端连接有洛匈双棱镜B和高压电脉冲形成器，所述高压电脉冲形成器输出端连接有所述GaAs光电导开关。

优选的，所述激光束分别穿梭有所述检偏器A、所述KTP晶体和所述检偏器B，分别作为起偏和检偏。

优选的，放在晶体两端的所述检偏器B和所述检偏器A的起偏方向相互正交,并且起偏方向都与z轴成45°角，晶体垂直主轴切割,光沿y方向传播,通光长度是l,z方向加电场，这样做还能提高晶体的光学破坏阈值。

优选的，所述单纵模调QND为YLF激光器,工作波长为1.053μm,输出约为50ns的长脉冲，调整适应波长。

优选的，所述KTP晶体放置于温控炉里，方便调节温度,测得的透过率随温度的变化。

优选的，所述激光束为功率恒定的波长为1.053μm的激光，符合实验波长。