[实用新型]一种新型吸盘

说明书

本实用新型公开了一种新型吸盘,包括成对设置的第一吸盘和第二吸盘，第一吸盘和第二吸盘交错排列，第一吸盘包括进气部、吸取部、吸盘侧部以及封部，进气部与吸盘侧部位于同侧，第二吸盘包括进气板、吸取板、吸盘侧板以及封板，进气板与吸盘侧板位于不同侧，本实用新型的吸盘上设置一组或两组吸盘侧板/吸盘侧部，通孔的分布位置增加了吸盘与硅片的接触面积，同时使吸取硅片的力保持均衡，避免硅片部分受力或受力不均匀，提高对硅片的吸取效率，本实用新型中竖直连接部的横截面面积大于进气部横截面面积，便于进气部的安装定位，并有效控制进气部的插入长度，提高安装的精确度。

技术领域

本实用新型属于光伏领域，涉及一种新型吸盘。

背景技术

半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上，CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式，其中CVD即化学气相沉积，CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工，常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等，除了CVD之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等。目前行业内已有不少相关的设备，可以针对具体的加工需求来选择相应的设备进行加工，半导体或光伏材料的加工，通常是将片状材料送入炉中在一定温度和压力的条件下进行反应来实现。

现有工艺中有需求将一个花篮中位于一个凹槽中的两片硅片进行分片，而现有的硅片分片传送装置，无法满足均分为两组的要求，此设备有效地解决了这种问题。

发明内容

本实用新型为了克服现有技术的不足，提供一种新型吸盘。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种新型吸盘,其特征在于：包括成对设置的第一吸盘和第二吸盘，第一吸盘和第二吸盘交错排列，第一吸盘包括进气部、吸取部、吸盘侧部以及封部，进气部与吸盘侧部位于同侧，第二吸盘包括进气板、吸取板、吸盘侧板以及封板，进气板与吸盘侧板位于不同侧。

进一步的；所述第一吸盘上固设有进气槽和吸取槽，第二吸盘上固设有通气槽和吸片槽，进气槽与吸取槽通过通孔进行气体流通，通气槽和吸片槽通过穿孔进行气体流通，相邻的第一吸盘以及第二吸盘间形成间隙槽，硅片吸取进入间隙槽内。

进一步的；所述进气部和吸取部间连接有连接部，连接部设置为L型结构，包括水平连接部和竖直连接部，水平连接部与吸取部通过斜台平滑连接，竖直连接部与进气部固设连接。

进一步的；所述吸取部设置为平板结构，吸取部的前后侧面依次设置为吸取面和进气面，吸取槽位于吸取面上，进气槽位于进气面上，吸盘侧部设置有一组，进气部、吸取部以及一组吸盘侧部形成T型结构，一组吸盘侧部固设于吸取部的侧面，进气槽包括依次连通进气部、连接部和吸取部的进气槽一以及位于吸盘侧部上的进气槽二，进气槽一以及进气槽二形成T型结构，吸取槽包括位于吸取部的吸取槽一以及位于吸盘侧部上的吸取槽二，吸取槽一与进气槽一位置相对，吸取槽二与进气槽二位置相对，通孔数量设置有四组，其中一组通孔贯穿进气槽二和吸取槽二，另外三组通孔贯穿在进气槽一和吸取槽一。

进一步的；所述吸取部设置为平板结构，吸取部的前后侧面依次设置为吸取面和进气面，吸取槽位于吸取面上，进气槽位于进气面上，吸盘侧部设置有两组，进气部、吸取部以及两组吸盘侧部形成F型结构，两组吸盘侧部固设于吸取部的侧面，进气槽包括依次连通进气部、连接部和吸取部的进气槽一以及位于吸盘侧部上的进气槽二，进气槽一以及进气槽二形成F型结构，吸取槽包括位于吸取部的吸取槽一以及位于吸盘侧部上的吸取槽二，吸取槽一与进气槽一位置相对，吸取槽二与进气槽二位置相对，通孔数量设置有五组，两组通孔贯穿进气槽二和吸取槽二，另外三组通孔贯穿在进气槽一和吸取槽一。

进一步的；所述第一吸盘的连接部以及第二吸盘的连接板分别固设有第一压腔和第二压腔，通过第一压腔和第二压腔限制第一吸盘和第二吸盘的横向移动。

进一步的；所述第一吸盘、第二吸盘设为一体成型结构。