[实用新型]一种低成本高散热智能功能模块

权利要求书

1.一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，包括有：

DBC基板，所述DBC基板由上到下依次连接有铜走线层、陶瓷层、铜散热层，所述铜走线层包括有设于陶瓷层一端上方的第一铜走线层、设于陶瓷层另一端上方的第二铜走线层；

第一侧引脚，所述第一侧引脚的一端与所述第一铜走线层设有第一键合线电性连接；

IC芯片，所述IC芯片焊接于所述第一铜走线层上，所述IC芯片与所述第一铜走线层之间设有第一焊料层；

功率芯片，所述功率芯片焊接与所述第二铜走线层上；

第二侧引脚，所述第二侧引脚焊接于所述第二铜走线层上，所述第二侧引脚与所述第二铜走线层之间设有第二焊料层。

2.根据权利要求1所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述功率芯片包括有焊接于所述第二铜走线层靠近所述IC芯片一侧的IGBT芯片、焊接于所述第二铜走线层另一侧的FRD芯片，所述FRD芯片设于所述IC芯片和所述IGBT芯片之间。

3.根据权利要求2所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述IGBT芯片与所述第二铜走线层之间设有第三焊料层，所述FRD芯片与所述第二铜走线层之间设有第四焊料层。

4.根据权利要求1所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述IC芯片的一端与所述第一铜走线层设有第二键合线电性连接，所述IC芯片的另一端与所述第一铜走线层设有第三键合线电性连接。

5.根据权利要求2所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述IGBT芯片的一端与所述第一铜走线层设有第四键合线电性连接。

6.根据权利要求2所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述IGBT芯片的另一端与所述FRD芯片设有第五键合线电性连接。

7.根据权利要求2所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述第二侧引脚与所述FRD芯片设有第六键合线电性连接。

8.根据权利要求1所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述陶瓷层的长度比所述铜散热层的长度长3-6mm。

9.根据权利要求1所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述铜走线层的厚度为0.25-0.75mm。

10.根据权利要求1所述的一种低成本高散热智能功能模块，其特征在于，所述第一铜走线层的长度比所述第二铜走线层的长度短。