[实用新型]一种NPN型光电晶体管结构有效
| 申请号： | 202120582463.9 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN214797438U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 伍建国 | 申请（专利权）人： | 深圳市德明新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人： | 齐文剑 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 npn 光电晶体管 结构 | ||
1.一种NPN型光电晶体管结构，其特征在于，包括：
从底端至上端依次设有第一N型区、P型区、第二N型区以及感光区，且所述第一N型区外包于所述P型区、所述P型区外包于所述第二N型区，使所述第一N型区、P型区、第二N型区的上端面构成位于同一平面的接触面；
所述感光区位于所述接触面上层；
所述第一N型区下端还设有与集电极引脚连接的衬底；
所述第二N型区上端面，设有透过感光区连接发射极引脚的第一导体，且所述第一导体正投影面小于第二N型区上端面；
所述P型区上端面，设有透过感光区连接基极引脚的第二导体，且所述第二导体正投影面小于P型区上端面。
2.根据权利要求1所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述第一N型区包括，第一N型低浓度掺杂区和第一N+型高浓度掺杂区，其中与所述衬底连接的为第一N+型高浓度掺杂区。
3.根据权利要求1所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述P型区的上端面位于第一N型区上端面的中心区。
4.根据权利要求1所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述第二N型区的上端面位于P型区上端面的中心区。
5.根据权利要求1所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述第二导体的截面小于所述第一导体的截面。
6.根据权利要求1或5所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述第一导体焊接有与发射极引脚连接的第一导线，所述第二导体焊接有与基极引脚连接的第二导线。
7.根据权利要求1所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述感光区封装于透明窗口内。
8.根据权利要求1所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述第二N型区为N+高浓度掺杂区。
9.根据权利要求1所述的NPN型光电晶体管结构，其特征在于，所述P型区为P型低浓度掺杂区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
