[实用新型]一种NPN型光电晶体管结构

说明书

本实用新型提供了一种NPN型光电晶体管结构，包括：第一N型区外包于P型区、P型区外包于第二N型区，第一N型区、P型区、第二N型区的上端面构成位于同一平面的接触面；感光区位于接触面上层；第一N型区下端还设有与集电极引脚连接的衬底；第二N型区上端面，设有第一导体，且所述第一导体正投影面小于第二N型区上端面；P型区上端面，设有第二导体，第二导体正投影面小于P型区上端面。不仅可以通过感光区控制其集电极和发射极之间的导通和截止，还能通过基极引脚进行控制，以及实现感光区与基极引脚配合控制；通过结构上的改进，进一步降低晶体管的导通阻值，在工作时，可有效降低晶体上损耗和发热，延缓老化和延长使用寿命。

技术领域

本实用新型涉光电晶体管结构技术领域，特别是涉及一种NPN型光电晶体管结构。

背景技术

随着电子技术的不断发展，晶体管作为一种半导体器件，常用于放大器或电控开关。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

随着光电技术的发展，光电晶体管成为重要的感光元件应用在各种感光电路中，例如，光控开关电路等，也给人们的生活带来了很大的便利。

然而，现有的光电晶体管的基区仅为感光区，基区引脚，当在电路中需要使用光电晶体管和普通三极管时则需要使用选用多个管配合，使用不方便，以及对光电晶体管的检测需要在有光的位置或是需要特定的检测场合；并且现有的光电晶体管结构由于其内阻较大使工作时出现较大损耗，需要进一步改进。

实用新型内容

鉴于上述问题，提出了本实用新型以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种NPN型光电晶体管结构。

为了解决上述问题，本实用新型公开了一种NPN型光电晶体管结构，包括：

从底端至上端依次设有第一N型区、P型区、第二N型区以及感光区，且所述第一N型区外包于所述P型区、所述P型区外包于所述第二N型区，使所述第一N型区、P型区、第二N型区的上端面构成位于同一平面的接触面；

所述感光区位于所述接触面上层；

所述第一N型区下端还设有与集电极引脚连接的衬底；

所述第二N型区上端面，设有透过感光区连接发射极引脚的第一导体，且所述第一导体正投影面小于第二N型区上端面；

所述P型区上端面，设有透过感光区连接基极引脚的第二导体，且所述第二导体正投影面小于P型区上端面。

优选地，所述第一N型区包括，第一N型低浓度掺杂区和第一N+型高浓度掺杂区，其中与所述衬底连接的为第一N+型高浓度掺杂区。

优选地，所述P型区的上端面位于第一N型区上端面的中心区。

优选地，所述第二N型区的上端面位于P型区上端面的中心区。

优选地，所述第二导体的截面小于所述第一导体的截面。

优选地，所述第一导体焊接有与发射极引脚连接的第一导线，所述第二导体焊接有与基极引脚连接的第二导线。

优选地，所述感光区封装于透明窗口内。

优选地，所述第二N型区为N+高浓度掺杂区。

优选地，所述P型区为P型低浓度掺杂区。

本实用新型包括以下优点：