[实用新型]一种高压肖特基二极管封装结构

权利要求书

1.一种高压肖特基二极管封装结构，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有芯片(20)，所述芯片(20)的两侧设有第一导电片(30)和第二导电片(40)，其特征在于：

所述芯片(20)包括N型衬底(21)，所述N型衬底(21)上依次层叠有N型外延层(22)、势垒金属层(23)和阳极层(24)，所述N型衬底(21)下设有第一绝缘介质层(26)和环状的阴极层(25)，所述第一绝缘介质层(26)包围于所述阴极层(25)中，所述第一绝缘介质层(26)的中心正对所述阳极层(24)的中心，所述N型外延层(22)远离所述N型衬底(21)的一侧设有P型保护环(221)，所述P型保护环(221)连接于所述势垒金属层(23)的底部边缘，所述阳极层(24)和所述势垒金属层(23)的四周设有第二绝缘介质层(27)，所述第二绝缘介质层(27)覆盖于所述P型保护环(221)的顶面四周；

所述第一导电片(30)包括依次连接的第一平台部(31)、第一倾斜部(32)和第一接触部(33)，所述第一平台部(31)位于所述绝缘封装体(10)内，所述第一倾斜部(32)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧面，所述第一接触部(33)位于所述绝缘封装体(10)外，所述第一平台部(31)的顶面固定有若干第一爬料柱(311)，所述第一平台部与所述阴极层(25)之间设有包围于所述第一爬料柱(311)外的第一焊接层(51)；

所述第二导电片(40)包括依次连接的第二平台部(41)、第二倾斜部(42)和第二接触部(43)，所述第二平台部(41)位于所述绝缘封装体(10)内，所述第二倾斜部(42)贯穿所述绝缘封装体(10)的侧面，所述第二接触部(43)位于所述绝缘封装体(10)外，所述第二平台部(41)的底面固定有若干第二爬料柱(411)，所述第二平台部与所述阳极层(24)之间设有包围于所述第二爬料柱(411)外的第二焊接层(52)。

2.根据权利要求1所述的一种高压肖特基二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘封装体(10)的底部设有散热陶瓷板(11)。

3.根据权利要求1所述的一种高压肖特基二极管封装结构，其特征在于：所述N型外延层(22)的掺杂浓度小于所述N型衬底(21)的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的一种高压肖特基二极管封装结构，其特征在于：所述势垒金属层(23)为PtSi层或CrSi层，所述阳极层(24)为Pt层或Cr层。

5.根据权利要求1所述的一种高压肖特基二极管封装结构，其特征在于：所述阴极层(25)为Al层或Ni层。

6.根据权利要求1所述的一种高压肖特基二极管封装结构，其特征在于：所述第一绝缘介质层(26)和所述第二绝缘介质层(27)均为聚酰亚胺层。

7.根据权利要求1所述的一种高压肖特基二极管封装结构，其特征在于：所述第一爬料柱(311)和所述第二爬料柱(411)均为金属银柱。