[实用新型]一种高压肖特基二极管封装结构

说明书

本实用新型系提供一种高压肖特基二极管封装结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有芯片、第一导电片和第二导电片；芯片包括N型衬底，N型衬底上层叠有N型外延层、势垒金属层和阳极层，N型衬底下设有第一绝缘介质层和环状的阴极层，N型外延层一侧设有P型保护环；第一导电片包括第一平台部、第一倾斜部和第一接触部，第一平台部的顶面固定有第一爬料柱，第一平台板与阴极层之间设有第一焊接层；第二导电片包括第二平台部、第二倾斜部和第二接触部，第二平台部的底面固定有第二爬料柱，第二平台板与阳极层之间设有第二焊接层。本实用新型抗击穿电压高，能够用于高压电路环境，且封装结构稳定可靠。

技术领域

本实用新型涉及二极管，具体公开了一种高压肖特基二极管封装结构。

背景技术

肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的肖特基势垒而制作的金属-半导体器件，肖特基二极管芯片的基本结构是底部欧姆接触层、衬底、外延层、肖基触层以及顶部欧姆接触层，应用时通常要在芯片的外部封装绝缘材料并连接对应的导电结构。

贴片式封装的肖特基二极管能够满足当下轻薄化电子产品的设计需求，肖特基二极管封装是先将芯片固定于导电框架上，再进行注塑封装。现有技术中，肖特基二极管的耐压性能不足，一旦施加较大的反向电压则容易被击穿，难以应用于高压电路环境。

实用新型内容

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种高压肖特基二极管封装结构，抗击穿电压高，能够用于高压电路环境，且整体结构稳定可靠。

为解决现有技术问题，本实用新型公开一种高压肖特基二极管封装结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有芯片，芯片的两侧设有第一导电片和第二导电片；

芯片包括N型衬底，N型衬底上依次层叠有N型外延层、势垒金属层和阳极层，N型衬底下设有第一绝缘介质层和环状的阴极层，第一绝缘介质层包围于阴极层中，第一绝缘介质层的中心正对阳极层的中心，N型外延层远离N型衬底的一侧设有P型保护环，P型保护环连接于势垒金属层的底部边缘，阳极层和势垒金属层的四周设有第二绝缘介质层，第二绝缘介质层覆盖于P型保护环的顶面四周；

第一导电片包括依次连接的第一平台部、第一倾斜部和第一接触部，第一平台部位于绝缘封装体内，第一倾斜部贯穿绝缘封装体的侧面，第一接触部位于绝缘封装体外，第一平台部的顶面固定有若干第一爬料柱，第一平台部与阴极层之间设有包围于第一爬料柱外的第一焊接层；

第二导电片包括依次连接的第二平台部、第二倾斜部和第二接触部，第二平台部位于绝缘封装体内，第二倾斜部贯穿绝缘封装体的侧面，第二接触部位于绝缘封装体外，第二平台部的底面固定有若干第二爬料柱，第二平台部与阳极层之间设有包围于第二爬料柱外的第二焊接层。

进一步的，绝缘封装体的底部设有散热陶瓷板。

进一步的，N型外延层的掺杂浓度小于N型衬底的掺杂浓度。

进一步的，势垒金属层为PtSi层或CrSi层，阳极层为Pt层或Cr层。

进一步的，阴极层为Al层或Ni层。

进一步的，第一绝缘介质层和第二绝缘介质层均为聚酰亚胺层。

进一步的，第一爬料柱和第二爬料柱均为金属银柱。

本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种高压肖特基二极管封装结构，设置芯片的阴阳极非完全相对，通过减少两者的相对面积可有效降低施加电压时对芯片中隔层结构所造成的冲击，芯片的耐压性能好，且芯片中的P型保护环能够有效增大表面电阻率，能够有效提高外延层表面的电阻率，能够有效增大势垒的高度，在施加反向电压时不易被击穿，抗击穿电压高，能够用于高压电路环境，且封装结构内部设置有用于对焊接层形成有一定限位效果的爬料柱，能够有效避免二极管内部形成短路，整体结构稳定可靠。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。