[实用新型]一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，包括底盘(1)，底盘(1)内内设置有电极(2)，电极(2)的另一件套设有石墨件(3)，电极(2)内设置有电极水冷腔(21)，底盘(1)内设置有底盘水冷腔(11)；其特征在于，所述电极(2)插入底盘(1)的部分套设有四氟套(4)，四氟套(4)与底盘(1)之间设置有氮化硅绝缘磁环(5)。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述氮化硅绝缘磁环(5)的内侧和外侧均设置有凹台(51)，四氟套(4)的上段套设于氮化硅绝缘磁环(5)的内侧凹台(51)内，氮化硅绝缘磁环(5)的外侧凹台(51)搭接在底盘(1)内缘处；所述氮化硅绝缘磁环(5)外侧凹台(51)的与氮化硅绝缘磁环(5)内侧凹台(51)的高度差为2～3mm。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述底盘(1)上还连接有外隔热环(6)，外隔热环(6)套设于氮化硅绝缘磁环(5)外，外隔热环(6)远离底盘(1)的一侧连接有上隔热环(7)，上隔热环(7)位于氮化硅绝缘磁环(5)外与石墨件(3)之间。

4.根据权利要求3所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述底盘(1)上设置有限位环槽(12)，外隔热环(6)的下侧插入限位环槽(12)内。

5.根据权利要求3所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述上隔热环(7)的下侧设置有限位凸环(71)，限位凸环(71)套设于外隔热环(6)内。

6.根据权利要求3所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述上隔热环(7)与氮化硅绝缘磁环(5)的顶部之间的间距为2～3mm。

7.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述底盘(1)内壁设置有用于对电极(2)进行支撑的支撑台阶(13)，电极(2)上设置有支撑座(22)，支撑座(22)通过四氟套(4)坐设于支撑台阶(13)上，底盘(1)的支撑台阶(13)与四氟套(4)之间、电极(2)的支撑座(22)与四氟套(4)之间均设置有垫片。

8.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述电极(2)的上端的形状为圆锥台形。

9.根据权利要求8所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述电极(2)的上端的锥度为1:5。

10.根据权利要求1～9任意一项所述的一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，其特征在于，所述底盘(1)包括底盘锻件(14)，电极(2)套设于底盘锻件(14)内，底盘锻件(14)外设置有上盖(15)和底座(16)，底盘水冷腔(11)为上盖(15)、底座(16)和底盘锻件(14)围成的区域，氮化硅绝缘磁环(5)位于四氟套(4)与底盘锻件(14)之间。