[实用新型]一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置

说明书

本实用新型属于多晶硅生产设备技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置。其技术方案为：一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，包括底盘，底盘内内设置有电极，电极的另一件套设有石墨件，电极内设置有电极水冷腔，底盘内设置有底盘水冷腔；所述电极插入底盘的部分套设有四氟套，四氟套与底盘之间设置有氮化硅绝缘磁环。本实用新型提供了一种绝缘效果好的多晶硅还原炉底盘绝缘装置。

技术领域

本实用新型属于多晶硅生产设备技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置。

背景技术

改良西门子法生产多晶硅是国内、国际上生产多晶硅的主流成熟工艺：以高纯三氯氢硅为原料，在1100℃左右的高纯硅芯上利用高纯氢气将其还原，硅芯在高温发热情况下进行生长单质硅，得到多晶硅棒状产品，其中还原炉是该工艺的核心设备。

目前行业出现72对棒还原炉但其产品不能满足单晶致密料的要求，产量与电耗都较高，且达产周期非常长，完全不具备40对棒炉型的数据优势。但是40对棒的产量也相对较低，电耗也相对高一些。而72对棒运行数据极不稳定，产品质量较差，还原热场很难控制。并且超过48对棒5圈结构的还原炉底盘由于绝缘问题缺相率极高，造成生产极不稳定。72对棒开不成功的主要因素是热场提高以后还原炉绝缘不能很好控制，造成放电拉弧现象严重，从而影响多晶硅的生产质量。因此为解决上述问题，有必要开发一种适用于大型还原炉底盘的绝缘件，进一步降低还原炉运行故障，提升大型还原炉的绝缘性能，从而切实解决大型还原炉在产能，电耗，品质上的核心竞争力。

发明内容

为了解决现有技术存在的上述问题，本实用新型目的在于提供一种绝缘效果好的多晶硅还原炉底盘绝缘装置。

本实用新型所采用的技术方案为：

一种多晶硅还原炉底盘绝缘装置，包括底盘，底盘内内设置有电极，电极的另一件套设有石墨件，电极内设置有电极水冷腔，底盘内设置有底盘水冷腔；所述电极插入底盘的部分套设有四氟套，四氟套与底盘之间设置有氮化硅绝缘磁环。

底盘上方的环境温度达到1000℃以上，则底盘内部通过水冷后，底盘上部的温度将大于底盘中下部。电极插入底盘的部分套设有四氟套，四氟套与底盘之间设置有氮化硅绝缘磁环，即底盘的上部与四氟套之间由氮化硅绝缘磁环隔开，避免底盘温度较高的上部将四氟套融化的情况，从而保证电极对应位置被良好绝缘和隔热。

作为本实用新型的优选方案，所述氮化硅绝缘磁环的内侧和外侧均设置有凹台，四氟套的上段套设于氮化硅绝缘磁环的内侧凹台内，氮化硅绝缘磁环的外侧凹台搭接在底盘内缘处；所述氮化硅绝缘磁环外侧凹台的与氮化硅绝缘磁环内侧凹台的高度差为2～3mm。氮化硅绝缘磁环内侧凹台比外侧凹台低2～3mm，防止氮化硅绝缘磁环两侧凹台同高时氮化硅绝缘磁环被放电击穿。

作为本实用新型的优选方案，所述底盘上还连接有外隔热环，外隔热环套设于氮化硅绝缘磁环外，外隔热环远离底盘的一侧连接有上隔热环，上隔热环位于氮化硅绝缘磁环外与石墨件之间。外隔热环和上隔热环的材料均为氮化硅绝缘材料，则通过在氮化硅绝缘磁环外设置外隔热环和上隔热环，可进一步提高底盘的绝缘可靠性，避免电极或石墨件被放电击穿。

作为本实用新型的优选方案，所述底盘上设置有限位环槽，外隔热环的下侧插入限位环槽内。外隔热环插入限位环槽内，则外隔热环可得到准确定位，保证外隔热环与电极同心，保证外隔热环各侧的受热和受力都是均匀的。

作为本实用新型的优选方案，所述上隔热环的下侧设置有限位凸环，限位凸环套设于外隔热环内。限位凸环套设于外隔热环内时，上隔热环得到准确定位，保证上隔热环与电极同心，保证上隔热环各侧的受热和受力都是均匀的。

作为本实用新型的优选方案，所述上隔热环与氮化硅绝缘磁环的顶部之间的间距为2～3mm。上隔热环与氮化硅绝缘磁环之间设置一定间隙，保证上隔热套的绝缘性能。