[实用新型]芯片用复合式散热盖板

说明书

一种芯片用复合式散热盖板，包括有铝合金本体以及铜分子键合层，铝合金本体在内表面设置具有深度的粗糙面；铜分子键合层利用铜熔射喷覆固着成型于铝合金本体的粗糙面，铜分子键合层附着于粗糙面上的附着力为99.8kgf/cm²～150kgf/cm²，并且铜分子键合层的孔隙率为1～5％，以构成防锈、高导热与抗氧化膜层构造；散热盖板通过铜分子键合层配合导热胶覆盖贴合于芯片上，以利用铜分子键合层快速往外传导芯片运行所产生的热量，再经由铝合金本体朝外散热，而达到优异的导热与散热效果。

技术领域

本实用新型有关于散热盖板技术领域，特别是涉及一种专供芯片封装使用的复合式散热盖板。

背景技术

半导体芯片是结合在基板上，且经由封装制程后，再结合于电路板上使用。但是，半导体芯片的功能日趋复杂，且制程越微缩精密，而半导体芯片在运算过程中所产生的高热，即直接影响到半导体芯片的运算速度。因此，目前的半导体芯片在封装制程中，通常利用散热盖板贴覆于半导体芯片顶面，并结合于电路板上固定，通过散热盖板将半导体芯片在运算中所产生的高热传导散出，使半导体芯片可于正常工作温度下进行运算，而让半导体芯片维持正常的运行效能。

目前的半导体芯片专用散热盖板大多是采用铜片构造，铜片具有高导热性，并且能够结合导热膏或导热胶使用。但是，铜片表面容易产生氧化，而影响到导热效能。虽然，目前的散热盖板大多在铜片表面设有镀镍层，以降低铜片的氧化程度。但是，镀镍层相对降低铜片的导热与散热效果，而相对影响半导体芯片的运行效能。因此要如何解决上述问题，即为此行业相关业者所亟欲研究的课题所在。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种芯片用复合式散热盖板，以克服上述现有技术的缺点与不足。

为达上述目的，本实用新型芯片用复合式散热盖板，包括有铝合金本体以及铜分子键合层，其中：该铝合金本体具有一侧的内表面以及相对侧的外表面，该铝合金本体在该内表面设置具有深度的粗糙面；该铜分子键合层利用铜熔射喷覆固着成型于该铝合金本体的该粗糙面，该铜分子键合层附着于该粗糙面上的附着力为99.8kgf/cm²～150kgf/cm²，并且该铜分子键合层的孔隙率为1～5％，以构成防锈、高导热与抗氧化膜层构造；该散热盖板通过该铜分子键合层配合导热胶覆盖贴合于该芯片上，以利用该铜分子键合层快速往外传导该芯片运行所产生的热量，并且经由该铝合金本体朝外散热。

前述的芯片用复合式散热盖板，其中该铝合金本体材料为5AL系列铝合金。

前述的芯片用复合式散热盖板，其中该粗糙面的表面粗糙度为0.2～1.1，且粗化深度为0.01～0.12mm。

前述的芯片用复合式散热盖板，其中该铜分子键合层利用常温气压熔射法喷覆固着于该铝合金本体的该粗糙面上。

前述的芯片用复合式散热盖板，其中该铝合金本体一侧设有凹入区域，且该凹入区域在该内表面设置该粗糙面。

本实用新型的有益效果为：散热盖板在铝合金本体内侧的粗糙面熔射喷覆固着有铜分子键合层，以构成防锈、高导热与抗氧化构造，并且铝合金本体材料能够有效结合封装胶，让散热盖板利用铜分子键合层快速往外传导芯片运行所产生的热量，再经由铝合金本体朝外散热，而达到优异的导热与散热效果，使芯片能够提高运行效能。

附图说明

图1为本实用新型芯片用复合式散热盖板顶面的立体图；

图2为本实用新型芯片用复合式散热盖板底面的立体图；

图3为本实用新型芯片用复合式散热盖板的剖视图；

图4为本实用新型芯片用复合式散热盖板的铝合金本体底面的立体图；

图5为本实用新型芯片用复合式散热盖板的铝合金本体底面设制粗糙面的立体图。