[实用新型]一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构有效

专利信息
申请号: 202120614173.8 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN214956886U 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 朱其 申请(专利权)人: 宜昌惠科科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/29;H01L33/48
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 王姝尹
地址: 443099 湖北省宜昌*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 含涂覆有高 反射率 齐纳二极管 led 封装 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,包括:封装板,在封装板上镀附有两块具有绝缘间隙的金属基板;发光二极管芯片,发光二极管芯片通过封装胶封装在封装板内,发光二极管芯片的正负极各自与两块金属基板电性连接;齐纳二极管,齐纳二极管内部设置有保护电路且其通过封装胶封装在封装板内,齐纳二极管的外表面均匀涂覆有高反射率白胶,齐纳二极管的正负极各自与两块金属基板电性连接。本实用新型中通过在封装板内封装有一个齐纳二极管,齐纳二极管能够起保护电路作用,齐纳二极管的外表面均匀涂覆有高反射率白胶,白胶的高反光性可降低齐纳二极管的吸光性,从而大大提升LED的发光效率。

技术领域

本实用新型涉及LED封装技术领域,更具体地说是涉及一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构。

背景技术

随着LED技术的发展和照明、背光领域的广泛应用,市场对LED发光效率、可靠性和寿命有了进一步的提高;ESD(Electro-Static Discharge静电释放)问题,不但影响了LED的发光效率,还大大缩短了LED的寿命。

因此,如何提供一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,使其能够克服上述问题,是本领域技术人员亟需解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供了一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构。解决了LED抗静电能力差和发光效率低的问题。

为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,包括:

封装板,在所述封装板上镀附有两块具有绝缘间隙的金属基板;

发光二极管芯片,所述发光二极管芯片布置在一块所述金属基板上且其正负极分别与对应的两块所述金属基板电性连接;

齐纳二极管,所述齐纳二极管内部设置有保护电路且其布置在一块所述金属基板上,所述齐纳二极管的外表面均匀涂覆有高反射率白胶,所述齐纳二极管的正负极分别对应与两块所述金属基板电性连接;

封装胶,通过所述封装胶将所述金属基板、所述发光二极管芯片以及所述齐纳二极管共同封装在所述封装板上。

经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本实用新型公开提供了一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,本实用新型中通过在封装板内封装有一个齐纳二极管,齐纳二极管能够起保护电路作用,齐纳二极管的外表面均匀涂覆有一层高反射率白胶,白胶的高反光性可降低齐纳二极管的吸光性,从而大大提升LED的发光效率。

优选的,所述发光二极管芯片为正装芯片或倒装芯片或垂直结构芯片中的一种。该设置能够使得该封装结构能够适应不同种类的发光二极管芯片。

优选的,所述发光二极管芯片为正装芯片或所述垂直结构芯片时,所述发光二极管芯片的正负极与两块所述金属基板之间通过金属导线连接。采用上述连接方式能够很好的将正装芯片或所述垂直结构芯片进行连接。

优选的,所述发光二极管芯片为所述倒装芯片时,所述发光二极管芯片的正负极与两块所述金属基板之间采用共晶焊接或者通过导电银胶粘接的方式进行电性连接。采用上述连接方式能够很好的将倒装芯片进行连接。

优选的,所述发光二极管芯片布置有一个或者多个且均固定在一块所述金属基板上。该设置能够增加LED的光照强度范围。

优选的,所述封装胶为荧光胶或透明封装胶。上述种类的封装胶不易老化,透光率高。

优选的,所述透明封装胶为环氧树脂或者硅胶。该种材质的封装胶在保证具有良好的透光性的同时,其不易牢固,并且封装可靠。

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