[实用新型]一种长余辉LED有效
申请号: | 202120646128.0 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN214588893U | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 方显峰 | 申请(专利权)人: | 方显峰 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/58;H01L33/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 321100 浙江省金华市兰溪市上*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 余辉 led | ||
1.一种长余辉LED,包括LED晶片(1)及附件、支架(2)、配光内透镜(3),所述的配光内透镜(3)为透明光学透镜,所述的支架(2)包括阳极架和阴极架,阳极架或阴极架上设有LED晶片(1)及附件,所述的LED晶片(1)及附件、支架(2)封装在透明配光内透镜(3)的内部,其中,阳极架和阴极架下部的电极引脚分别延伸到透明配光内透镜(3)之外,其特征在于:所述的配光内透镜(3)的外侧围还结合有长余辉发光透镜体(4),所述的长余辉发光透镜体(4)通过透明导光介质以液态固化方式或熔融态固化方式或通过契合结构包围或局部包围在配光内透镜(3)的侧壁上,配光内透镜(3)顶部为具有配光出射功能的光学部,从而形成具有LED配光出射和余辉发光功能的LED整体。
2.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的长余辉发光透镜体(4)的外侧还设有透明的外透镜(5)。
3.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的配光内透镜(3)顶部的光学部为聚光光学结构。
4.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的配光内透镜(3)顶部的光学部为光发散光学结构。
5.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的配光内透镜(3)顶部的光学部为偏射光学结构。
6.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的配光内透镜(3)顶部的光学部为偏光光学结构。
7.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的长余辉发光透镜体(4)为环绕形包围结构,长余辉发光透镜体(4)的外轮廓俯视呈圆形、椭圆形、多边形或上述形状的组合形状。
8.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的长余辉发光透镜体(4)底部为中间部分设有穿孔腔或槽的围圈,围圈上设有直立的长余辉连体支架,以单侧、相对两侧或俯视呈辐射状方式设在配光内透镜(3)的侧壁上。
9.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的长余辉发光透镜体(4)为以发光中心为中心的对称结构或非对称结构。
10.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的支架(2)的电极引脚所在排列面经过配光内透镜(3)的发光中心,所述的长余辉发光透镜体(4)设在上述排列面的一侧或双侧。
11.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的长余辉发光透镜体(4)占LED晶片(1)沿配光内透镜(3)的中心垂直剖面的垂直激发角(θ1)大小在0°到75°之间,或者所述的长余辉发光透镜体(4)占LED晶片(1)沿配光内透镜(3)底面的水平激发角(θ2)大小在90°到180°之间。
12.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的长余辉发光透镜体(4)至少有一部分所在的高度不低于LED晶片(1)出射的最低位置所在的高度,或者所述的长余辉发光透镜体(4)底部的高度不低于LED晶片(1)出射的最低位置所在的高度。
13.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的支架(2)的反射杯碗内设有两个或两个以上LED晶片(1),且其中至少一个不在长余辉激发光谱上的LED晶片、至少一个在长余辉激发光谱上的LED晶片,所述的两个或两个以上LED晶片(1)采用共阴极或共阳极设置、或单独设置阴极和阳极。
14.根据权利要求1所述的一种长余辉LED,其特征在于:所述的LED晶片(1)至少含有一个紫外芯片和一个可见光芯片。
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