[实用新型]用于化学机械研磨装置的研磨垫和化学机械研磨装置

说明书

该实用新型提出一种用于化学机械研磨装置的研磨垫和化学机械研磨装置，所述研磨垫包括具有第一硬度的第一研磨部和具有第二硬度的第二研磨部，所述第一硬度小于所述第二硬度，在所述研磨垫的研磨面上，所述第一研磨部的研磨面积和所述第二研磨部的研磨面积相同。根据本实用新型实施例的研磨垫，能够减少对晶圆表面形貌的损坏，且不易变形，使用寿命长。

技术领域

本实用新型涉及半导体研磨技术领域，具体涉及一种用于化学机械研磨装置的研磨垫和化学机械研磨装置。

背景技术

现有技术的用于化学机械研磨(CMP)的研磨垫，大体包括两种：硬研磨垫和软研磨垫，其中硬研磨垫的硬度较大，在对晶圆表面进行研磨时，容易在晶圆的表面产生划痕，会导致晶圆的表面样貌较差，严重的话甚至会影响后续制程，造成一定的损失率，而软研磨垫由于其自身形变量较大，容易导致晶圆表面形貌变差，而且软研磨垫使用寿命较短，需要经常更换，也影响化学机械研磨机台的正常使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于化学机械研磨装置的研磨垫，能够减少对晶圆表面形貌的损坏，且不易变形，使用寿命长且不需要频繁更换。

根据本实用新型实施例的用于化学机械研磨装置的研磨垫，所述研磨垫包括具有第一硬度的第一研磨部和具有第二硬度的第二研磨部，所述第一硬度小于所述第二硬度，在所述研磨垫的研磨面上，所述第一研磨部的研磨面积和所述第二研磨部的研磨面积相同。

根据本实用新型的一些实施例，所述研磨垫的研磨面为圆形，所述第一研磨部和所述第二研磨部在所述研磨面上分别形成为半圆形。

根据本实用新型的一些实施例，所述第一研磨部包括多个第一子研磨部，所述第二研磨部包括多个第二子研磨部，在所述研磨垫的研磨面上，多个所述第一子研磨部和多个所述第二子研磨部沿所述研磨面外边缘的周向交替设置。

根据本实用新型的一些实施例，在所述研磨垫的研磨面上，所述第一子研磨部和所述第二子研磨部均形成为扇形。

根据本实用新型的一些实施例，所述第一子研磨部和所述第二子研磨部在所述研磨面的面积相同。

根据本实用新型的一些实施例，所述第一子研磨部为2-8个。

根据本实用新型的一些实施例，所述第一研磨部和所述第二研磨部分别为不同硬度的聚合物形成。

根据本实用新型的一些实施例，所述聚合物为聚氨酯。

根据本实用新型的一些实施例，在所述研磨垫的研磨面形成有沟槽，所述沟槽包括多个同心设置的圆环形槽。

本实用新型还提出了一种化学机械研磨装置。

根据本实用新型实施例的化学机械研磨装置，包括机台和研磨垫，所述研磨垫设在所述机台上，所述研磨垫为上述实施例的用于化学机械研磨装置的研磨垫。

根据本实用新型实施例的用于化学机械研磨的研磨垫，具有两种不同硬度的研磨部，从而形成不同硬度的研磨区域，采用本实用新型的研磨垫对晶圆表面进行研磨时，可通过硬度大的第二研磨部和硬度小的第一研磨部同时进行研磨，例如晶圆在研磨垫的表面进行旋转研磨时，晶圆表面能够在第一研磨部形成的软研磨区域和第二研磨部形成的硬研磨区域交替研磨，这样，相比采用硬研磨垫研磨容易在晶圆的表面形成划痕，本实用新型的研磨垫硬研磨区域减小，能够减少硬研磨时对晶圆表面形貌的破坏，而且晶圆在经过硬度大的第二研磨部研磨后，经过硬度小的第一研磨部研磨时，通过第一研磨部能够减小第二研磨部对晶圆表面造成的划痕，使得晶圆表面更加平坦化。从而降低了仅采用硬度大的硬研磨垫研磨时对晶圆表面形貌的破坏。