[实用新型]一种等离子体处理设备

说明书

本申请实施例提供一种等离子体处理设备，包括安装基座、室体组件、盖组件以及进气管。室体组件安装于安装基座。盖组件与室体组件围设成工艺腔，盖组件与室体组件可拆卸连接。进气管的一端与室体组件连接，进气管配置为经室体组件向工艺腔供气。由于进气管与室体组件连接并经室体组件向工艺腔供气，进气管中的气流不会从盖组件进入工艺腔，盖组件与进气管之间不存在气体泄漏的问题。当需要进行设备维护对室体组件内部进行清洁，在盖组件从室体组件上拆下的过程中，不涉及进气管在密封位置处的拆装，在一定程度上提高了工艺腔的密封性，降低了因密封圈更换而增加的成本。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种等离子体处理设备。

背景技术

晶圆键合技术可以将两块经过抛光的晶圆紧密粘结在一起，这种技术被广泛应用于3D集成电路和微电机系统中，目前晶圆键合的工艺流程中，在粘合之前要通过等离子体轰击晶圆将晶圆进行表面活化，以便在后续的键合工艺中能够将晶圆较好地粘合在一起，等离子体轰击过程在室体组件和盖组件围设成的工艺腔内进行，轰击过程中工艺腔内要保持相对恒定的气体压强，这取决于工艺腔是否具有较好的密封性。然而，相关技术中，等离子体处理设备的工艺腔可能存在密封性较差的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例期望提供一种等离子体处理设备，以提高工艺腔的密封性。

为达到上述目的，本申请实施例提供一种等离子体处理设备，包括：

安装基座；

室体组件，安装于所述安装基座；

盖组件，与所述室体组件围设成工艺腔，所述盖组件与所述室体组件可拆卸连接；以及

进气管，所述进气管的一端与所述室体组件连接，所述进气管配置为经所述室体组件向所述工艺腔供气。

一实施例中，所述进气管位于所述室体组件背离所述盖组件的一侧。

一实施例中，所述安装基座与所述室体组件围设成容纳腔，所述进气管位于所述容纳腔内，所述进气管的另一端与所述安装基座连接，所述安装基座具有与所述进气管连通的进气端口。

一实施例中，所述容纳腔具有避让区，所述进气管包括：

进气主管，连接在所述室体组件背离所述盖组件的一侧，所述进气主管沿所述室体组件和所述盖组件的排列方向延伸设置，所述进气主管配置为经所述室体组件向所述工艺腔供气，所述避让区至少部分地位于所述进气主管背离所述室体组件的一侧；以及

过渡管道，分别与所述安装基座和所述进气主管连接，所述进气端口与所述过渡管道连通，所述过渡管道配置为向所述进气主管供气。

一实施例中，所述进气管一体成型。

一实施例中，室体组件包括：

室主体，安装于所述安装基座，所述室主体与所述盖组件围设成所述工艺腔，所述室主体与所述盖组件可拆卸连接，所述进气管穿设于所述室主体；以及

下电极部件，位于所述工艺腔内，所述下电极部件与所述进气管连接，所述下电极部件形成有气流通道，所述气流通道连通所述工艺腔与所述进气管，所述气流通道具有与所述工艺腔连通的多个出气端口。

一实施例中，所述下电极部件包括：

下电极，位于所述工艺腔内；以及

第一石英环，位于所述工艺腔内，所述第一石英环环绕在所述下电极的周围，所述第一石英环与所述进气管连接，所述气流通道形成于所述第一石英环。

一实施例中，所述气流通道包括：

第一气孔，与所述进气管连通；