[实用新型]半导体元件的刻蚀设备

说明书

本实用新型提供一种半导体元件的刻蚀设备，包括盖体、支撑体、石英管和升降装置。盖体具有进气口、多个出气口以及连通进气口和出气口的腔体。支撑体支撑于盖体，石英管连接于支撑体，石英管的上端与气源连通，下端延伸向进气口。升降装置设置于盖体，升降装置能够使石英管向下降落或者向上升起，以使石英管的下端与进气口连通或者分立。本申请提供的半导体元件的刻蚀设备，通过设置升降装置，无需人力移开和放回支撑体和石英管等结构，较为省力。此外，相比于人力抬起或者放下支撑体和石英管，通过升降装置实现石英管的上升或者下降，可以更好地控制石英管相对于进气口上升或者下降的位移，防止对石英管造成损坏。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体元件的刻蚀设备。

背景技术

刻蚀设备，如DPS(Decoupled Plasma Source，去耦合等离子体源)设备是半导体元件如芯片制备的较常见的设备，通常采用微波或者等离子体等气体对半导体元件进行刻蚀，以形成特定的微结构。在刻蚀设备中，采用石英管将微波或者等离子体等气源传输给刻蚀设备刻蚀腔的盖体上，微波或者等离子体喷射到半导体元件的表面，直至完成半导体元件的相关刻蚀工艺。

在对刻蚀设备进行保修维护时，通常需要将石英管与盖体分离。而支撑石英管的支撑体需要承载较重的设备，靠人力移开石英管后，再靠人力将石英管与盖体连接时，整个过程较为费力。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体元件的刻蚀设备，以解决现有技术中在刻蚀设备维护过程中费力的问题。

本申请实施例提供一种半导体元件的刻蚀设备，包括：盖体，具有进气口、多个出气口以及连通所述进气口和所述出气口的腔体；支撑体，支撑于所述盖体；石英管，连接于所述支撑体，所述石英管的上端与气源连通，下端延伸向所述进气口；和，升降装置，设置于所述盖体的上方，所述升降装置能够使所述石英管向下降落或者向上升起，以使所述石英管的下端与所述进气口连通或者分离。

在一些实施例中，所述升降装置包括：箱体，设置于所述盖体的上方；转动组件，支撑于所述箱体，所述转动组件具有输出轴；传动件，支撑于所述箱体，所述传动件与所述输出轴连接；平移件，沿上下方向具有第一端和第二端，所述第一端与所述支撑体连接，所述第二端与所述传动件连接，其中，所述传动件能够将所述转动组件的转动运动转化为所述平移件沿上下方向的平移运动。

在一些实施例中，所述箱体和所述平移件中的一者具有导向槽，另一者具有凸台，所述凸台与所述导向槽相互匹配；和/或，所述升降装置还包括锁止件，所述锁止件连接于所述箱体，用于锁止或者解锁所述输出轴。

在一些实施例中，所述传动件包括凸轮，所述凸轮与所述输出轴连接，所述凸轮具有转动中心和平行于所述转动中心的外缘面，所述平移件与所述外缘面抵接。

在一些实施例中，所述转动组件包括：蜗杆，支撑于所述箱体；和，蜗轮，与所述蜗杆啮合，所述蜗轮与所述凸轮同轴设置。

在一些实施例中，所述转动组件还包括：

摇臂，与所述蜗杆平行设置，所述摇臂的至少部分设置在所述箱体的外部；连接件，连接所述摇臂和所述蜗杆。

在一些实施例中，所述腔体包括气室和连通所述气室的多个气道，所述气室与所述进气口连通，所述气道与对应的所述出气口连通，所述气道的数量少于所述出气口的数量。

在一些实施例中，多个所述气道在所述盖体垂直于气体流动方向的平面内阵列分布；和/或，多个所述出气口在所述盖体垂直于气体流动方向的平面内阵列分布。

在一些实施例中，所述刻蚀设备还包括密封件，所述密封件设置在所述石英管的下端和所述盖体之间。

在一些实施例中，所述刻蚀设备还包括连接于所述支撑体的防护件，所述防护件套设在所述石英管的外部。