[实用新型]管式PECVD设备有效
申请号: | 202120733028.1 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN215799888U | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 张勇;李学文;李军阳;龚文志;谭晓华;张海涛;盛亚 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林明校 |
地址: | 518118 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pecvd 设备 | ||
本实用新型公开了管式PECVD设备,用于对基材进行镀膜,包括:腔体;射频电源接入部,设置在腔体上,具有射频馈入部和接地部,射频馈入部的一端和射频电源的发射端连接,射频馈入部的另一端伸进腔体内,接地部的一端和射频电源的接地端连接,接地部的另一端伸进腔体内;载片舟,包括多个第一导体和多个第二导体,第一导体和第二导体之间被绝缘,基材被保持在第一导体和第二导体中的其中一个;在被送入腔体内的状态下,第一导体和第二导体中的其中一个,和射频馈入部连接,第一导体和第二导体中的另一个,和接地部连接。本实用新型的管式PECVD设备,在能够保证产量的同时,提高镀膜质量。
技术领域
本实用新型涉及但不限于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种管式PECVD设备。
背景技术
PECVD(等离子体增强化学气相沉积)广泛应用于太阳能电池的生产。目前用于太阳能电池的镀膜的PECVD设备主要有板式和管式两种。在以往的工艺中,为了追求更高的品质,通常会采用板式PECVD设备,这是因为板式PECVD设备能够采用射频等离子源,而射频等离子源具有频率高、等离子轰击小的优点。使用射频等离子源能够减少等离子体对太阳能电池片的基材(例如硅片)的轰击,提高太阳能电池的品质。
然而,由于射频等离子源的导入较困难,而且存在接地端。因此,射频等离子源在PECVD设备建立电场时,通用的方法是一端接地,一端连接电极板,只在接地端或者射频输出端放置基材。因此,板式PECVD设备采用的是平板式载板,基材平摊在载板上。这导致板式PECVD设备不仅占地面积大、而且产能非常低。
实用新型内容
本实用新型旨在至少一定程度解决已知的PECVD设备存在的技术问题之一。为此,提出了一种管式PECVD设备,在能够保证产量的同时,提高镀膜质量。
根据本实用新型一方面的管式PECVD设备,用于对基材进行镀膜,包括:腔体;射频电源接入部,设置在所述腔体上,具有射频馈入部和接地部,所述射频馈入部的一端和射频电源的发射端连接,所述射频馈入部的另一端伸进所述腔体内,所述接地部的一端和所述射频电源的接地端连接,所述接地部的另一端伸进所述腔体内;载片舟,用于保持所述基材并被送入所述腔体内或者从所述腔体内被送出,所述载片舟包括多个第一导体和多个第二导体,所述第一导体和所述第二导体之间被绝缘,所述基材被保持在所述第一导体和所述第二导体中的其中一个;在被送入所述腔体内的状态下,所述第一导体和所述第二导体中的其中一个,和所述射频馈入部连接,所述第一导体和所述第二导体中的另一个,和所述接地部连接。
根据本实用新型一方面的管式PECVD设备,至少具有如下有益效果:由于设置了能够接入射频电源的射频电源接入部,并且配置了能够和射频电源导通的载片舟,因此,在能够发挥管式PECVD的优势保证产量的同时,提高镀膜质量。
在一些实施例中,所述射频馈入部和所述接地部分别设置在所述腔体的尾部。
在一些实施例中,所述射频馈入部包括:第一电极杆,所述第一电极杆伸进所述腔体内;第二电极杆,设置在所述腔体的外部,所述第二电极杆和所述发射端连接;第一连接部,安装到所述尾部,使所述第一电极杆的轴向的一端的第一端部和所述第二电极杆的轴向的一端的第二端部相互导通,并至少使所述第一端部和所述第二端部被绝缘以及被屏蔽。
在一些实施例中,所述第一连接部包括:第一绝缘部,设置为至少对所述第一端部和所述第二端部进行绝缘;第一安装部,设置在所述第一绝缘部的外部,所述第一连接部通过所述第一安装部安装到所述尾部,并且所述第一安装部至少对所述第一端部和所述第二端部进行屏蔽。
在一些实施例中,所述射频馈入部还包括第一绝缘管,所述第一绝缘管容置在所述腔体内,所述第一绝缘管的轴向的一端和所述第一连接部连接,并以使所述第一电极杆的轴向的另一端的第三端部显露出来的方式套住所述第一电极杆。
在一些实施例中,所述射频馈入部还包括第一屏蔽管,所述第一屏蔽管套住所述第二电极杆。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的