[实用新型]一种掩膜板

说明书

本实用新型涉及一种掩膜板，包括基材，所述基材包括全蚀刻开口区、半蚀刻减薄区，包括凸设于所述半蚀刻减薄区一侧的加强柱，及凸设于所述半蚀刻减薄区另一侧的支撑柱，所述支撑柱用于贴合支撑待蒸镀基板。本实用新型中的掩膜板，在掩膜板顶部凸设支撑柱，减少接触面积，有效防止了蒸镀过程中残留的颗粒对掩模板或蒸镀产品造成损伤的情况的发生，提高了蒸镀良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是指一种掩膜板。

背景技术

有机发光显示器与目前的液晶显示器显示技术相比，具有可视角大，色彩艳丽，功耗低等优点，近几年产业化速度突飞猛进。当前OLED显示器面板的制作过程中通常采用蒸镀法形成有机发光层，而有机发光层的蒸镀一般会使用到金属掩模板。

金属掩模板金属材质较薄时会存在一定的下垂现象，使得基板与掩膜板间的贴合间距难以控制，形成由基板边缘向基板中心阴影部分逐渐增加现象。

另外，传统的掩膜板为金属材料，粗糙度较大，易沾染粉尘颗粒，在显示装置的玻璃基板蒸镀过程中，清洗不干净的玻璃基板或掩膜板上容易残留蒸镀颗粒，玻璃基板上残留的颗粒以及玻璃基板传送通道上残留的颗粒极易借助掩膜板带入不同的工艺段，从而造成整条产线的污染，影响产品良率。因此，设计一种掩膜板解决上述问题是本领域亟需解决的问题。

实用新型内容

为此，本实用新型的目的在于提供一种掩膜板，避免掩膜板使用过程中的下垂，保证掩膜板与基板紧密贴合，同时还能有效防止蒸镀过程中残留的颗粒对掩模板或蒸镀产品造成损伤的情况的发生，提高了蒸镀良率。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种掩膜板，包括基材，所述基材包括全蚀刻开口区、半蚀刻减薄区，包括凸设于所述半蚀刻减薄区一侧的加强柱，及凸设于所述半蚀刻减薄区另一侧的支撑柱，所述支撑柱用于贴合支撑待蒸镀基板。

进一步的，所述支撑柱沿垂直于所述基材的方向形成第一投影，所述加强柱沿垂直于所述基材的方向形成第二投影，所述第一投影完全落在所述第二投影中。

进一步的，所述支撑柱呈点状分布，多个所述支撑柱均布于所述半蚀刻减薄区。

进一步的，所述支撑柱为锥形或球缺形。

进一步的，所述加强柱为条状，相邻全蚀刻开口区之间均设置有加强柱。

进一步的，所述基材为晶硅片。

进一步的，所述支撑柱的粗糙度小于10nm。

进一步的，所述加强柱、所述支撑柱及所述半蚀刻减薄区一体成型。

进一步的，所述加强柱和所述支撑柱为所述基材的不蚀刻区。

进一步的，所述支撑柱粘接在所述半蚀刻减薄区。

本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

1)本实用新型中的掩膜板，在掩膜板顶部进行刻蚀形成支撑柱，减少接触面积，有效防止了蒸镀过程中残留的颗粒对掩模板或蒸镀产品造成损伤的情况的发生，提高了蒸镀良率；

2)本实用新型中的掩膜板，支撑柱的投影落在加强柱的投影中，可防止因支撑柱的重量造成半蚀刻减薄区下垂；

3)本实用新型中的掩膜板，支撑柱均布设置，支撑柱可均匀支撑在玻璃基板和半蚀刻减薄区之间；

4)本实用新型中的掩膜板，锥形或球缺形支撑柱的支撑面积能够保证较小；

5)本实用新型中的掩膜板，加强柱为条状，能够对半蚀刻减薄区进行稳固的支撑；

6)本实用新型中的掩膜板，利用晶圆晶硅片作为掩膜板制作的基材，抛光后的晶圆晶硅片，粗糙度为纳米级别；晶圆晶硅片加工的灵活性多变性，为掩膜板的设计空间提供了更多的可能性率。