[实用新型]一种半导体芯片的封装结构有效
申请号: | 202120739330.8 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN214625023U | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 艾育林 | 申请(专利权)人: | 江西万年芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 马莉 |
地址: | 335500 江西省上饶市万年县高*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 封装 结构 | ||
本实用新型涉及微电子技术领域,尤其为一种半导体芯片的封装结构,包括底部安装基板,所述底部安装基板的基面中间处开设有安装槽,所述安装槽内壁的底部安装有半导体芯片本体,所述安装槽的上侧并且位于半导体芯片本体的外部安装有外部防护组件,所述底部安装基板基面的拐角处开设有安装孔,所述底部安装基板的侧面中间处开设有限位槽,所述底部安装基板的底部中间处开设有散热槽,所述散热槽的内壁安装有均匀分布的底部散热片,所述安装槽内壁的底部安装有散热引导板,所述底部散热片选用铝片制作而成,所述底部散热片的上侧与安装槽的内壁相互平齐,整体设备结构简单,散热性能好,能够在一定程度上延长半导体芯片本体的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及微电子技术领域,具体为一种半导体芯片的封装结构。
背景技术
随着半导体技术的发展,半导体芯片的体积越来越小,功率却越来越大,这种高功率密度芯片的需求呈快速增长的趋势,尤其在微波射频领域,常见的高功率密度芯片,如氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)和砷化镓高电子迁移率晶体管(GaAsHEMT),如果不能进行有效的热量设计和管理就很容易导致芯片或使用芯片的系统由于温度过高而不能正常工作。
半导体芯片在生产过程中通常需要进行封装,现有的半导体芯片封装结构虽然密封性较好,但是其散热性较差,这就导致半导体芯片在实际使用时产生的热量不能及时向外散出,因此会对其使用寿命造成一定的影响,因此需要一种半导体芯片的封装结构对上述问题做出改善。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体芯片的封装结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种半导体芯片的封装结构,包括底部安装基板,所述底部安装基板的基面中间处开设有安装槽,所述安装槽内壁的底部安装有半导体芯片本体,所述安装槽的上侧并且位于半导体芯片本体的外部安装有外部防护组件。
作为本实用新型优选的方案,所述底部安装基板基面的拐角处开设有安装孔,所述底部安装基板的侧面中间处开设有限位槽,所述底部安装基板的底部中间处开设有散热槽,所述散热槽的内壁安装有均匀分布的底部散热片,所述安装槽内壁的底部安装有散热引导板。
作为本实用新型优选的方案,所述底部散热片选用铝片制作而成,所述底部散热片的上侧与安装槽的内壁相互平齐,并且所述底部散热片的下侧与底部安装基板的底面相互平齐。
作为本实用新型优选的方案,所述散热引导板包括扩散层、导热粘附层和石墨烯层,所述扩散层的下侧设置有导热粘附层,所述导热粘附层的下侧设置有石墨烯层,所述散热引导板的基面与半导体芯片本体的底面相互接触,所述散热引导板的底部与底部散热片的顶部相互接触,所述扩散层选用铜片制作而成,所述导热粘附层选用金锡合金制作而成。
作为本实用新型优选的方案,所述外部防护组件包括防护壳体、内部散热管和包封体,所述防护壳体内部的前后两侧对称安装有内部散热管,所述内部散热管上安装有均匀分布的环形散热片,所述防护壳体的下侧内部并且与安装槽之间设置有包封体,所述安装槽的内部并且位于防护壳体的外部设置有外部填充。
作为本实用新型优选的方案,所述环形散热片向内延伸至内部散热管的内壁,向外延伸至内部散热管的外部,并且所述环形散热片采用铝片制作而成。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型中,通过设置的底部安装基板的结构使得本装置可对半导体芯片本体向下直接散热,与此同时内部散热管结构的设置可在防护壳体内部的前后向外进行散热,整体来说以上结构的散热性能好,能够在一定程度上延长半导体芯片本体的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图;
图2为本实用新型外部防护组件内部结构示意图;
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