[实用新型]一种防止充电机反接导致加热带失效的电路有效

专利信息
申请号: 202120743368.2 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN216564538U 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 田芳;李团委 申请(专利权)人: 炫途储能科技(上海)有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H11/00;H01M10/615
代理公司: 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 代理人: 乔建
地址: 201613 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 防止 充电机 反接 导致 热带 失效 电路
【权利要求书】:

1.一种防止充电机反接导致加热带失效的电路,其特征在于:包括加热控制模组、充电控制模组以及放电控制模组;

所述加热控制模组包括驱动MOS芯片U2,加热控制MOS芯片QJR1;

所述充电控制模组包括驱动MOS芯片U3,充电控制MOS芯片QC1-QC4;

所述放电控制模组包括驱动MOS芯片U1,放电控制MOS芯片QP1-QP4;

所述驱动MOS芯片U2的第1引脚接入电源3.3V,第2引脚接入加热控制信号JR,第4引脚接入电源15V,第3引脚与加热控制MOS芯片QJR1的栅极连接,所述加热控制MOS芯片QJR1的漏极与加热带的负极连接;

所述驱动MOS芯片U3的第1引脚接入电源3.3V,第3引脚接入充电控制信号C_C,第6引脚接入电源15V,第5引脚与充电控制MOS芯片QC1-QC4的栅极连接,第4引脚与充电控制MOS芯片QC1-QC4的源极连接;

所述驱动MOS芯片U1的第1引脚接入电源3.3V,第3引脚接入放电控制信号D_C,第6引脚接入电源15V,第5引脚与放电控制MOS芯片QP1-QP4的栅极连接,第4引脚与放电控制MOS芯片QP1-QP4的源极连接;

所述充电控制MOS芯片QC1-QC4、放电控制MOS芯片QP1-QP4的源极分别与加热控制MOS芯片QJR1的源极连接,加热控制MOS芯片QJR1的漏极与加热带的负极连接;所述充电控制MOS芯片QC1-QC4的漏极与充电机的负极连接;所述放电控制MOS芯片QP1-QP4的漏极与电池组的负极连接;所述电池组的正极分别与加热带的正极、充电机的正极连接。

2.根据权利要求1所述的一种防止充电机反接导致加热带失效的电路,其特征在于:所述充电控制MOS芯片QC1-QC4、放电控制MOS芯片QP1-QP4的源极经过脉冲吸收二极管TVS1与加热控制MOS芯片QJR1的漏极连接。

3.根据权利要求1所述的一种防止充电机反接导致加热带失效的电路,其特征在于:所述驱动MOS芯片U3的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管TVS3与充电控制MOS芯片QC1-QC4的栅极连接。

4.根据权利要求1所述的一种防止充电机反接导致加热带失效的电路,其特征在于:所述驱动MOS芯片U1的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管TVS2与放电控制MOS芯片QP1-QP4的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的一种防止充电机反接导致加热带失效的电路,其特征在于:所述驱动MOS芯片U3的第5引脚经过电阻R9与充电控制MOS芯片QC1的栅极连接,经过电阻R10与充电控制MOS芯片QC2的栅极连接,经过电阻R11与充电控制MOS芯片QC3的栅极连接,经过电阻R12与充电控制MOS芯片QC4的栅极连接。

6.根据权利要求1所述的一种防止充电机反接导致加热带失效的电路,其特征在于:所述驱动MOS芯片U1的第5引脚经过电阻R2与放电控制MOS芯片QP1的栅极连接,经过电阻R3与放电控制MOS芯片QP2的栅极连接,经过电阻R4与放电控制MOS芯片QP3的栅极连接,经过电阻R5与放电控制MOS芯片QP4的栅极连接。

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