[实用新型]一种防止充电机反接导致加热带失效的电路

说明书

本实用新型提供一种防止充电机反接导致加热带失效的电路，涉及电池管理系统领域包括加热控制模组、充电控制模组以及放电控制模组；所述加热控制模组包括驱动MOS芯片U2，加热控制MOS芯片QJR1；所述充电控制模组包括驱动MOS芯片U3，充电控制MOS芯片QC1‑QC4；所述放电控制模组包括驱动MOS芯片U1，放电控制MOS芯片QP1‑QP4。本实用新型解决了现有技术中充电机反接，使得电池加热失控，从而导致电池损坏的问题。

技术领域

本实用新型涉及电池管理系统领域，特别是涉及一种防止充电机反接导致加热带失效的电路。

背景技术

在新能源行业，针对锂电池的电池管理系统是电池储能的核心装置，是确保电池安全可靠工作的保障。在电池管理系统中，电池在低温下是不能进行充电的，必须使用加热带将电池加热到一定温度后，才允许进行充电，但是由于使用时会意外将充电机反接，使得电池加热失控，电池过热，从而导致电池损坏。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种防止充电机反接导致加热带失效的电路，用于解决现有技术中充电机反接，使得电池加热失控，从而导致电池损坏的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种防止充电机反接导致加热带失效的电路，其特征在于：包括加热控制模组、充电控制模组以及放电控制模组；

所述加热控制模组包括驱动MOS芯片U2，加热控制MOS芯片QJR1；

所述充电控制模组包括驱动MOS芯片U3，充电控制MOS芯片QC1-QC4；

所述放电控制模组包括驱动MOS芯片U1，放电控制MOS芯片QP1-QP4；

所述驱动MOS芯片U2的第1引脚接入电源3.3V，第2引脚接入加热控制信号JR，第4引脚接入电源15V，第3引脚与加热控制MOS芯片QJR1的栅极连接，所述加热控制MOS芯片QJR1的漏极与加热带的负极连接；

所述驱动MOS芯片U3的第1引脚接入电源3.3V，第3引脚接入充电控制信号C_C，第6引脚接入电源15V，第5引脚与充电控制MOS芯片QC1-QC4的栅极连接，第4引脚与充电控制MOS芯片QC1-QC4的源极连接；

所述驱动MOS芯片U1的第1引脚接入电源3.3V，第3引脚接入放电控制信号D_C，第6引脚接入电源15V，第5引脚与放电控制MOS芯片QP1-QP4的栅极连接，第4引脚与放电控制MOS芯片QP1-QP4的源极连接；

所述充电控制MOS芯片QC1-QC4、放电控制MOS芯片QP1-QP4的源极分别与加热控制MOS芯片QJR1的栅极连接，并且与加热带的负极连接；所述充电控制MOS芯片QC1-QC4的漏极与充电机的负极连接；所述放电控制MOS芯片QP1-QP4的漏极与电池组的负极连接；所述电池组的正极分别与加热带的正极、充电机的正极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述充电控制MOS芯片QC1-QC4、放电控制MOS芯片QP1-QP4的源极经过脉冲吸收二极管TVS1与加热控制MOS芯片QJR1的栅极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述驱动MOS芯片U3的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管TVS3与充电控制MOS芯片QC1-QC4的栅极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述驱动MOS芯片U1的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管TVS2与放电控制MOS芯片QP1-QP4的栅极连接。

于本实用新型的一实施例中，所述驱动MOS芯片U3的第5引脚经过电阻R9与充电控制MOS芯片QC1的栅极连接，经过电阻R10与充电控制MOS芯片QC2的栅极连接，经过电阻R11与充电控制MOS芯片QC3的栅极连接，经过电阻R12与充电控制MOS芯片QC4的栅极连接。