[实用新型]半导体芯片结构以及薄膜上芯片封装结构有效
| 申请号： | 202120770116.9 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN215644467U | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 黄巧伶;游腾瑞;曾德修 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 结构 以及 薄膜 封装 | ||
1.一种半导体芯片结构，其特征在于，包括：
衬底，其中形成有驱动电路；
多个输出凸块组，所述多个输出凸块组各自包括多个输出凸块，其中所述多个输出凸块组所各自包括的输出凸块之间的数量差异小于或等于50；以及
多个输入凸块组，设置于所述多个输出凸块组中沿着所述衬底的横向排列的相邻两输出凸块组之间。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述多个输出凸块组中沿着所述衬底的纵向排列的相邻两输出凸块组所各自包括的输出凸块之间的数量差异小于或等于50。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述多个输出凸块组包括多个第一输出凸块组以及多个第二输出凸块组分别沿着所述衬底的横向彼此平行地排列。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述多个第一输出凸块组所各自包括的输出凸块与所述多个第二输出凸块组所各自包括的输出凸块之间的数量差异小于或等于50。
5.根据权利要求3所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述多个输入凸块组分别设置于所述多个第一输出凸块组之间以及所述多个第二输出凸块组之间。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述多个输出凸块组各自包括的输出凸块的数量介于100个至300个之间。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述多个输出凸块之间的间距小于或等于20微米。
8.一种薄膜上芯片封装结构，其特征在于，包括：
根据权利要求1至7所述的半导体芯片结构中的其中之一的半导体芯片结构；以及
薄膜基材，所述半导体芯片结构设置于所述薄膜基材的上表面上并电连接所述薄膜基材。
9.根据权利要求8所述的薄膜上芯片封装结构，其特征在于，所述半导体芯片结构的数量为多个，且所述多个半导体芯片结构以并列的形式设置于所述薄膜基材上。
10.根据权利要求8所述的薄膜上芯片封装结构，其特征在于，所述薄膜基材包括多个输出信号线，其分别连接所述多个输出凸块，所述多个输出信号线之间的间距介于18微米至25微米之间。
11.根据权利要求8所述的薄膜上芯片封装结构，其特征在于，还包括散热膜片，贴附于所述薄膜基材相对于所述上表面的下表面上。
12.根据权利要求11所述的薄膜上芯片封装结构，其特征在于，所述散热膜片还贴附于所述上表面上，并覆盖所述半导体芯片结构。
13.根据权利要求11所述的薄膜上芯片封装结构，其特征在于，所述散热膜片包括散热铝膜片或散热石墨膜片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联咏科技股份有限公司，未经联咏科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120770116.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LPG缓冲释放罐的控制系统
- 下一篇：一种自开式机械锁结构
