[实用新型]一种光刻胶回收系统

说明书

本实用新型提供了一种光刻胶回收系统，包括气源、光刻胶存储容器、第一管道、气泡排除单元、缓冲回收容器、回收管道和排出管道；气源与光刻胶存储容器连通，用于将光刻胶存储容器中的光刻胶压入第一管道中；光刻胶存储容器通过第一管道与气泡排除单元连通；气泡排除单元包括气泡排除管道，气泡排除管道用于排出光刻胶中的气泡；气泡排除管道的末端与缓冲回收容器的顶部连通；气源与缓冲回收容器连通，排出管道的一端与缓冲回收容器的顶部连通，另一端用于排出缓冲回收容器中的气泡；缓冲回收容器的底部通过回收管道与光刻胶存储容器的顶部连通。本实用新型提供的光刻胶回收系统可以解决现有技术中Track机台在排泡操作时造成大量的光刻胶浪费的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种光刻胶回收系统。

背景技术

半导体制造工艺中，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中关键的步骤，在整个工艺过程中需要被多次使用，其稳定性及可靠性对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。光刻工艺是一个复杂的过程，其本质是把电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上，TRACK机台(涂胶显影机台)的作用即是将光罩图案转移至晶圆上，TRACK机台的工艺过程大致如下：首先利用光刻胶涂布系统在晶圆上形成一层感光材料——光刻胶薄层，再将平行光经过掩膜版照射在光刻胶薄层上使其曝光而变质，最后利用显影液进行显影完成图形转移。其中，若形成的光刻胶薄层厚度出现了偏差，会直接影响到后面相关工艺的进行，如光刻胶厚度超过预计厚度，可能造成曝光、显影不充分，得不到正常的光刻图形；而光刻胶厚度小于预计厚度，除曝光显影不正常导致的图形变形外，还可能会造成光刻胶对晶圆的保护失败，晶圆在经过刻蚀工艺后报废。故而在光刻胶的涂布工艺中，实现对光刻胶厚度的良好控制非常关键。

当光阻中存在气泡时，会对光刻胶薄层产生明显的不利影响，光刻胶薄层中含有气泡时，不仅会使得光刻胶喷涂不均匀，成品率下降，还会导致光刻胶的实际涂布量变少，形成的光刻胶薄层的厚度变薄。因此，在更换光刻胶过滤器或者上新光刻胶时，需要做气泡移除的动作，将留在过滤器、电机驱动泵以及光刻胶运送管道中的气泡排出，避免气泡通过光刻胶运送管道到达晶圆表面，形成缺陷。

因此，现有技术中Track机台在每次更换光刻胶或更换过滤器以及管道有气泡时都会执行排泡操作，排泡过程中随气泡一起被排掉的光刻胶会被直接排放至厂务端，没有进行二次回收利用，造成了大量的光刻胶浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光刻胶回收系统，以解决现有技术中Track机台在排泡操作时造成大量的光刻胶浪费的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种光刻胶回收系统，包括气源、光刻胶存储容器、第一管道、气泡排除单元、缓冲回收容器、回收管道和排出管道；所述气源与所述光刻胶存储容器的顶部连通，并用于将所述光刻胶存储容器中的光刻胶压入所述第一管道中；所述光刻胶存储容器通过所述第一管道与所述气泡排除单元连通；所述气泡排除单元包括气泡排除管道，所述气泡排除管道用于排出光刻胶中的气泡；按流体流动方向，所述气泡排除管道的末端与所述缓冲回收容器的顶部连通；所述气源与所述缓冲回收容器的顶部连通，所述排出管道的一端与所述缓冲回收容器的顶部连通，另一端用于排出所述缓冲回收容器中的气泡；所述缓冲回收容器的底部通过所述回收管道与所述光刻胶存储容器的顶部连通。

进一步的，所述气源通过第一进气管道与所述光刻胶存储容器连通，所述第一进气管道上设置有第一阀门。

进一步的，所述排出管道上设置有第二阀门，所述第二阀门与所述第一阀门同步开启或关闭。

进一步的，所述第一阀门与所述第二阀门为气动阀。

进一步的，所述气源通过第二进气管道与所述缓冲回收容器连通，所述第二进气管道上设置有第三阀门。

进一步的，所述回收管道上设置有第四阀门。

进一步的，所述第一管道伸入所述光刻胶存储容器内与所述光刻胶存储容器的底部连通。