[实用新型]碳化硅晶片切割装置

说明书

本申请提供了一种碳化硅晶片切割装置，包括机架、承载台、切割刀具、三维移动平台和扫描仪。承载台与机架连接，承载台用于承载并定位碳化硅晶片。切割刀具用于切割碳化硅晶片。三维移动平台设于机架上，切割刀具与三维移动平台连接，三维移动平台用于带动切割刀具运动。扫描仪用于扫描碳化硅晶片的轮廓并能依据轮廓的参数信息得到切割路径；扫描仪与三维移动平台通信连接，用于控制三维移动平台运动，以使切割刀具沿切割路径运动。自动化程度高，效率高，安全性高。

技术领域

本实用新型涉及半导体制备设备领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶片切割装置。

背景技术

随着第一代半导体Si、第二代半导体GaAs，InP等的发展日益成熟，碳化硅作为第三代半导体材料中的重要组成部分，其具有的宽禁带、高热导率、高临界击穿场强、高载流子饱和漂移速率、低相对介电常数、高抗辐射能力以及良好的化学稳定性等被人们所广泛关注研究。碳化硅因其独具的优越特性在高温、高频、大功率、微电子器件等方面和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势，也是微电子、电力电子和光电子等高新技术进入21世纪后赖以持续发展的重要半导体材料之一，随着技术的不断提高，第三代半导体技术的应用将在节能减排、信息技术、国防科技三大领域上催生出数以万计的潜在市场，且近年来迅速渗透到照明、电子电力器件、微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5G通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为未来新能源发展的方向之一。碳化硅材料作为外延的衬底材料需要一系列的加工流程，其中机械减薄在碳化硅工艺流程中被大量使用，而机械减薄需要晶片表面的有足够的平整度，通常会对晶片进行薄膜树脂填充化处理，即对晶片进行贴片。然而贴片后的晶片薄膜尺寸残余较大，不利于树脂与晶片的充分包裹。需要切割多余部分薄膜，以增加薄膜与晶片的包裹性。

经发明人研究发现，现有的碳化硅晶片切割设备存在如下缺点：

劳动强度高，安全性低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅晶片切割装置，其能够降低劳动强度，提高作业安全性。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本实用新型提供一种碳化硅晶片切割装置，包括：

机架；

承载台，承载台与机架连接，承载台用于承载并定位碳化硅晶片；

用于切割碳化硅晶片的切割刀具；

三维移动平台，三维移动平台设于机架上，切割刀具与三维移动平台连接，三维移动平台用于带动切割刀具运动；

以及扫描仪，扫描仪用于扫描碳化硅晶片的轮廓并能依据轮廓的参数信息得到切割路径；扫描仪与三维移动平台通信连接，用于控制三维移动平台运动，以使切割刀具沿切割路径运动。

在可选的实施方式中，机架包括支座和均与支座连接的第一安装件和第二安装件，承载台与第一安装件连接；三维移动平台以及扫描仪均与第二安装件连接。

在可选的实施方式中，承载台设有用于定位碳化硅晶片的真空吸附口。

在可选的实施方式中，承载台包括基体以及载片台，载片台凸设于基体的一侧面上，载片台背离基体的一侧面用于承载碳化硅晶片；载片台设有真空吸附口，真空吸附口的一端口位于载片台用于承载碳化硅晶片的侧面上。

在可选的实施方式中，载片台设置为圆台。

在可选的实施方式中，承载台还包括吸附台，吸附台与基体连接且与载片台位于基体的同一侧；吸附台上设置有真空吸附口。

在可选的实施方式中，吸附台设置有多个，多个吸附台间隔排布，载片台位于多个吸附台围成的区域中。

在可选的实施方式中，基体设有气道，多个真空吸附口均与气道连通。