[实用新型]一种新型半导体器件封装结构

权利要求书

1.一种新型半导体器件封装结构，其特征在于，包括半导体器件和塑封层(1)，所述半导体器件从上至下依次为铜基板层(5)、导热绝缘层(4)、PCB板层(3)、芯片层(2)，所述半导体器件放置于所述塑封层(1)中；

所述铜基板层(5)左右两侧设置多个引脚(6)；

所述塑封层(1)上设置测温孔(7)。

2.根据权利要求1所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述塑封层(1)为顶端开口的凹槽，凹槽的长宽尺寸与所述半导体器件的长宽尺寸相同。

3.根据权利要求2所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述凹槽的侧壁高度与所述半导体器件的高度相同。

4.根据权利要求3所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述塑封层(1)的前后两侧的凹槽侧壁上开设至上而下的安装孔(8)。

5.根据权利要求1所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述测温孔(7)贯穿所述塑封层(1)底面至所述芯片层(2)。

6.根据权利要求1所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述芯片层(2)的上表面焊接在所述PCB板层(3)的下表面上、下表面与所述塑封层(1)的凹槽底面密贴。

7.根据权利要求6所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述多个引脚(6)焊接在所述PCB板层(3)上，所述多个引脚(6)穿过所述塑封层(1)的左右两个侧壁后向下弯曲。

8.根据权利要求1所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述导热绝缘层(4)的下表面与所述PCB板层(3)的上表面密贴、上表面与所述铜基板层(5)的下表面密贴。

9.根据权利要求8所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述导热绝缘层(4)采用氧化铝、氮化硅或者碳化硅中的一种。

10.根据权利要求1所述的新型半导体器件封装结构，其特征在于，所述铜基板层(5)的上表面与散热器密贴，所述铜基板层(5)与散热器的接触面涂覆导热硅脂。