[实用新型]功率放大装置

权利要求书

1.一种功率放大装置，其特征在于，

所述功率放大装置具有：

半导体基板；

多个第一晶体管，其设置于所述半导体基板，被输入高频信号；

多个第二晶体管，其设置于所述半导体基板，与多个所述第一晶体管分别电连接，输出将所述高频信号放大后的高频输出信号；

多个第一突起，其与多个所述第一晶体管分别重叠设置；以及

第二突起，其与多个所述第一突起分开设置，且与多个所述第一晶体管及多个所述第二晶体管不重叠地设置，

在从与所述半导体基板的表面垂直的方向的俯视下，按照所述第一晶体管及所述第一突起、所述第二晶体管、所述第二突起、所述第二晶体管、所述第一晶体管及所述第一突起的顺序排列。

2.根据权利要求1所述的功率放大装置，其特征在于，

所述功率放大装置具有：

至少一层以上的绝缘膜，其设置在所述半导体基板与所述第二突起之间；以及

连接部，其在与所述第二突起重叠的区域沿厚度方向贯穿所述至少一层以上的绝缘膜，且与所述半导体基板连接。

3.根据权利要求2所述的功率放大装置，其特征在于，

所述功率放大装置具有：

多个所述连接部；以及

多个电容器及多个电阻，其与多个所述第二晶体管的基极分别连接，

在所述俯视下，多个所述电容器及多个所述电阻配置于在第一方向上相邻的多个所述连接部之间，并且，设置于在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻的多个所述第二晶体管之间。

4.根据权利要求1或2所述的功率放大装置，其特征在于，

所述功率放大装置具有与多个所述第一晶体管的基极分别连接的多个第一电容器及多个第一电阻，

多个所述第一电容器及多个所述第一电阻中的至少一个以上与多个所述第一突起重叠设置。

5.根据权利要求4所述的功率放大装置，其特征在于，

所述功率放大装置具有与多个所述第二晶体管的基极分别连接的多个第二电容器及多个第二电阻，

在所述俯视下，多个所述第二电容器及多个所述第二电阻设置在相邻的多个所述第二晶体管之间，

多个所述第二电容器及多个所述第二电阻中的至少一个以上与所述第二突起重叠设置。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的功率放大装置，其特征在于，

在一条直线上配置有所述第一晶体管及所述第一突起、所述第二晶体管、所述第二突起、所述第二晶体管、所述第一晶体管及所述第一突起。