[实用新型]功率放大装置

说明书

提供一种功率放大装置，能够实现良好的散热性并实现特性的提高。功率放大装置具有：半导体基板；多个第一晶体管，其设置于半导体基板，被输入高频信号；多个第二晶体管，其设置于半导体基板，与多个第一晶体管分别电连接，输出将高频信号放大后的高频输出信号；多个第一突起，其与多个第一晶体管分别重叠设置；以及第二突起，其与多个第一突起分开设置，且与多个第一晶体管及多个第二晶体管不重叠地设置，在从与半导体基板的表面垂直的方向的俯视下，按照第一晶体管及第一突起、第二晶体管、第二突起、第二晶体管、第一晶体管及第一突起的顺序排列。

技术领域

本实用新型涉及功率放大装置。

背景技术

在专利文献1中记载了一种将由半导体芯片构成的分布型放大器以倒装芯片的形式安装于安装基板的分布型放大器安装装置。在专利文献1所记载的分布型放大器安装装置中，在构成分布型放大器的晶体管单元之间设置有突起(在专利文献1中为突起状连接导体)。分布型放大器经由突起而与安装基板侧的接地导体层连接。另外，作为分布型放大器，已知有遍及多个晶体管单元而设置共用的突起的结构。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-235290号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

在专利文献1中在晶体管单元之间设置有突起，因此，可能无法使由晶体管产生的热有效地向外部散热。另外，在与多个晶体管单元重叠地设置有突起的结构中，晶体管的反馈电容增大，特性可能下降。

本实用新型的目的在于，提供一种能够实现良好的散热性并实现特性的提高的功率放大装置。

用于解决课题的手段

本实用新型的一方面的功率放大装置具有：半导体基板；多个第一晶体管，其设置于所述半导体基板，被输入高频信号；多个第二晶体管，其设置于所述半导体基板，与多个所述第一晶体管分别电连接，输出将所述高频信号放大后的高频输出信号；多个第一突起，其与多个所述第一晶体管分别重叠设置；以及第二突起，其与多个所述第一突起分开设置，且与多个所述第一晶体管及多个所述第二晶体管不重叠地设置，在从与所述半导体基板的表面垂直的方向的俯视下，按照所述第一晶体管及所述第一突起、所述第二晶体管、所述第二突起、所述第二晶体管、所述第一晶体管及所述第一突起的顺序排列。

实用新型效果

根据本实用新型的功率放大装置，能够实现良好的散热性并实现特性的提高。

附图说明

图1是示出实施方式的功率放大装置的电路图。

图2是示出实施方式的功率放大装置的俯视图。

图3是图2的III-III’剖视图。

图4是图2的IV-IV’剖视图。

图5是图2的V-V’剖视图。

图6是示出实施方式的功率放大装置的K因子的频率特性的坐标图。

图7是示出比较例的功率放大装置的K因子的频率特性的坐标图。

图8是示出实施方式的功率放大装置的第二方向上的位置与热阻值的关系的坐标图。

图9是示出比较例的功率放大装置的第二方向上的位置与热阻值的关系的坐标图。

图10是示出变形例的功率放大装置的第二方向上的位置与热阻值的关系的坐标图。

附图标记说明

1 半导体基板；

2 集电极层；

3 基极层；