[实用新型]覆晶基板及其封装结构

说明书

本申请揭示了一种覆晶基板及其封装结构，所述覆晶基板具有一表面，所述表面上形成有复数组凹槽单元，每一组凹槽单元包含复数个凹槽，并且每一组凹槽单元的所述凹槽共同在所述表面上围成一预定区，所述预定区包含一连接区，所述预定区的面积大于所述连接区的面积，且所述凹槽环设于所述预定区的外周围；当将芯片覆晶于基板上时，使芯片上的每一个焊球对应至每一组凹槽单元的所述凹槽的共同中心或所述连接区的中心，使得在进行清洗制程时让水更容易排除焊球周围的助焊剂，并且可以平衡填充在芯片下方的填充材料的流动性，减少空洞形成，确保产品可靠性。

技术领域

本申请属于覆晶封装的技术领域，特别在于改善芯片底部的填充材料的流动性以减少产生空洞，并且使助焊剂得以在进行清洗制程时更容易被排除。

背景技术

芯片的覆晶封装制程中，在将芯片倒装至基板时需要进行底部填充制程(underfill)，即利用毛细作用在芯片下方填入填充材料(一般为环氧基液体材料)，但设置在芯片下方的复数个焊球(bump球)之间的不同间距排列会造成填充材料的流速不均匀而导致填充不完全的现象。此外，当焊球的尺寸小于50μm时，在芯片上片之后会使助焊剂残留在焊球周围，无法全面被清洗掉。

台湾专利I229928号揭露一种半导体封装结构，如图1所示，包括：半导体元件A、基板B、数个焊料凸块C、底胶D、缓冲部及焊球E。基板B设置于半导体元件A下方；半导体元件A的第一表面与基板的上表面之间形成接合区；数个焊料凸块C配置于接合区，用以电性连接半导体元件A与基板B；底胶D充填于接合区且包覆焊锡凸块C，用以将半导体元件A和基板B紧密结合；缓冲部E设置于接合区，用以缓冲并控制底胶D的充填；数个焊球E配置于基板B的下表面。其中，在填充底胶制程中，底胶D在半导体元件A及基板B之间以毛细现象流动，并藉由形成在基板B上的凹槽B1作为缓冲部，确认底胶的出胶状况，准确地控制胶量。

然而，由于所述I229928号专利是将凹槽B1形成在对应半导体元件A周边的基板B表面，亦即使得设置在半导体元件下面的焊球E位于凹槽B1所围的范围内，因此容易因为焊球E间距太小或不均而造成填入半导体元件A底部的底胶D的流动性不足，从而因为填胶不完全而产生空洞；此外，当焊球尺寸小于50μm时，在半导体元件上片之后，助焊剂容易残留在焊球周围，在进行清洗制程时无法全面地将其清洗掉，必须增加更多工序进行后续处理。

发明内容

本申请可以改善覆晶封装时芯片底部的填充材料流动性不足，以及在清洗时助焊剂不容易被排除的缺失。

为了实现上述目的，本申请一实施例提供的技术方案如下：

一实施例中，本申请提供一种覆晶基板，具有一表面，表面上形成有复数组凹槽单元，每一组凹槽单元包含复数个凹槽，并且每一组凹槽单元的复数个凹槽共同在表面上围成一预定区，预定区包含一连接区，预定区的面积大于连接区的面积，且复数个凹槽环设于预定区的外周围。藉由基板的结构，当芯片覆晶封装于基板时，使设于芯片的每一个焊球对应至每一组凹槽单元的凹槽之间的连接区，因此，借由凹槽可以平衡填充在芯片下方的填充材料的流动性，减少空洞形成，并且在进行清洗制程时让水更容易排除焊球周围的助焊剂，确保产品的可靠性。

较佳地，本申请的基板上的凹槽亦环设于连接区，凹槽与连接区之间具有一间距。借此，透过凹槽与连接区的距离设置，使填充材料在基板上的流动性较为均衡，以及清洗制程时让水更容易进入焊球周围的区域，使助焊剂较容易被清洁。

较佳地，本申请的基板上的连接区用于与一芯片的复数焊球连接。借此，使焊球设置于凹槽间的区域，使基板助焊剂的清洁及材料填充的效果较为良好。

较佳地，本申请的基板上的每一组凹槽单元可以包含有四个凹槽，四个凹槽围绕凹槽单元的中心配置。借此，可以从多个方向提升填充材料的流动性。

较佳地，四个凹槽可以沿着圆周以等角度配置。借此，可以从前、后、左、右四个方向充分提升填充材料的流动性。