[实用新型]一种高导电性的半导体引线框架

权利要求书

1.一种高导电性的半导体引线框架，包括外框(100)，所述外框(100)上设有封装单元(200)，所述封装单元(200)包括外引脚(201)、内引脚(202)和芯片区(203)，所述芯片区(203)用于容纳芯片，所述外框(100)远离所述封装单元(200)的一侧设有与所述芯片区(203)配合的散热片(204)，其特征在于：所述芯片区(203)包括容纳槽(210)，所述容纳槽(210)底部所在的平面低于所述外框(100)设有所述封装单元(200)一侧所在的平面，所述容纳槽(210)底部设有限位凸缘(211)和凸块(212)，所述容纳槽(210)底部远离所述限位凸缘(211)和所述凸块(212)的一侧设有与所述限位凸缘(211)和凸块(212)配合的凹槽，所述凹槽使得所述限位凸缘(211)和所述凸块(212)内部为空腔结构，所述限位凸缘(211)沿所述容纳槽(210)的槽壁设置，所述凸块(212)设置在所述限位凸缘(211)形成的区域内，所述限位凸缘(211)与所述凸块(212)配合形成凹陷部(213)。

2.根据权利要求1所述的高导电性的半导体引线框架，其特征在于：所述散热片(204)包括与所述限位凸缘(211)配合的第一凸条(241)以及与所述凸块(212)配合的第二凸条(242)。

3.根据权利要求1所述的高导电性的半导体引线框架，其特征在于：所述限位凸缘(211)及凸块(212)与所述容纳槽(210)一体设置。

4.根据权利要求1所述的高导电性的半导体引线框架，其特征在于：所述外框(100)上设有定位孔(101)。

5.根据权利要求1所述的高导电性的半导体引线框架，其特征在于：所述外框(100)由铜制成。

6.根据权利要求1或2所述的高导电性的半导体引线框架，其特征在于：所述散热片(204)由铜制成。