[实用新型]一种探测器芯片封装结构有效
申请号: | 202120889443.6 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN214672633U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 黄祥恩;唐佛雨;陈屹丹 | 申请(专利权)人: | 桂林芯飞光电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L25/16 |
代理公司: | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人: | 张学平 |
地址: | 541000 广西壮族自治区桂林*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 芯片 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种探测器芯片封装结构,2.5G Super‑TIA分别由PD、TIA、Submount、Capacity元器件组成,TIA为跨阻放大器,PD为光电二极管,Submount为单金陶瓷垫片,能够增加高度,以便成品焦距满足客户需求。Capacity为电容,具有滤波作用。TIA为跨阻放大器,PD为光电二极管,带宽在10GHz,高响应度,低电容,低暗电流,高效平面收光结构,半绝缘衬底,正负电极在同面。主要应用在10G PON,长距离光网络,WDM\ATM及光纤通讯。
技术领域
本实用新型涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种探测器芯片封装结构。
背景技术
目前随着光纤通讯技术的不断发展和大数据时代的来临,通讯容量和带宽不断扩大,千兆网也将逐步走进千家万户,但由于高速光器件器件(40GHz及以上)受限于同轴TO封装的限制,目前均采用了蝶形(BTF)封装,这种蝶形封装的激光器由于可采用微波线路设计且腔体空间大,所以激光器性能优秀。
然而采用现有封装的激光器无法提供光电流监测,使得激光器的信号输出大小不固定,从而使得该激光器无法适用于长距离光网络传输。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种探测器芯片封装结构,旨在解决现有技术中的激光器无法提供光电流监测,使得激光器的信号输出大小不固定,从而使得该激光器无法适用于长距离光网络传输的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型采用的一种探测器芯片封装结构,包括管座和安装组件;所述安装组件包括跨阻放大器、光电二极管和连接构件,所述跨阻放大器与所述管座固定连接,并位于所述管座的一侧,所述光电二极管与所述管座固定连接,并与所述跨阻放大器通过导线连接,且位于所述管座靠近所述跨阻放大器的一侧;所述连接构件包括数据输出引脚、反转数据输出引脚、电源引脚和光电二极管检测输出引脚,所述数据输出引脚与所述管座固定连接,并与所述跨阻放大器通过导线连接,且位于所述管座远离所述跨阻放大器的一侧,所述反转数据输出引脚与所述管座固定连接,并与所述跨阻放大器通过导线连接,且位于所述管座靠近所述数据输出引脚的一侧,所述电源引脚与所述管座固定连接,并与所述跨阻放大器通过导线连接,且位于所述管座靠近所述反转数据输出引脚的一侧,所述光电二极管检测输出引脚与所述管座固定连接,并与所述跨阻放大器通过导线连接,且位于所述管座靠近所述电源引脚的一侧。
其中,所述安装组件还包括单金陶瓷垫片,所述单金陶瓷垫片与所述管座固定连接,并与所述光电二极管固定连接,且位于所述管座和所述光电二极管之间。
其中,所述安装组件还包括第一电容,所述第一电容与所述管座固定连接,并与所述跨阻放大器通过导线连接,且与所述电源引脚通过导线连接,所述第一电容位于所述管座靠近所述跨阻放大器的一侧。
其中,所述安装组件还包括第二电容,所述第二电容与所述管座固定连接,并与所述跨阻放大器通过导线连接,且与所述光电二极管检测输出引脚通过导线连接,所述第二电容位于所述管座靠近所述跨阻放大器的一侧。
其中,所述探测器芯片封装结构还包括管帽,所述管帽与所述管座固定连接,并位于所述管座靠近所述跨阻放大器的一侧。
其中,所述探测器芯片封装结构还包括透镜,所述透镜与所述管帽固定连接,并位于所述管帽远离所述管座的一侧。
本实用新型的一种探测器芯片封装结构,2.5G Super-TIA分别由PD、TIA、Submount、Capacity元器件组成,TIA为跨阻放大器,PD为光电二极管,Submount为单金陶瓷垫片,能够增加高度,以便成品焦距满足客户需求。Capacity为电容,具有滤波作用。TIA为跨阻放大器,PD为光电二极管,带宽在10GHz,高响应度,低电容,低暗电流,高效平面收光结构,半绝缘衬底,正负电极在同面。主要应用在10G PON,长距离光网络,WDM\ATM及光纤通讯。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的