[实用新型]孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置

权利要求书

1.一种孔阵列层结构，用于和衬底形成成膜空间，所述成膜空间用于形成膜层，其特征在于，所述孔阵列层结构包括：

阵列排布的多个孔单元，所述孔单元贯穿所述孔阵列层结构，所述孔单元具有轴向连通的第一容纳腔和第二容纳腔，所述第一容纳腔被配置为和所述衬底连接，至少一个所述第一容纳腔与其它所述第一容纳腔连通。

2.根据权利要求1所述的孔阵列层结构，其特征在于，至少一个所述第二容纳腔与其它所述第二容纳腔连通。

3.根据权利要求1或2所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述孔阵列层结构包括第一限定层和第二限定层，所述第一容纳腔设置于所述第一限定层内并贯通所述第一限定层，所述第二容纳腔设置于所述第二限定层内并贯通所述第二限定层。

4.根据权利要求3所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第二限定层包括阵列排布的多个第二子单元，所述第二容纳腔设置于所述第二子单元内并贯通所述第二子单元。

5.根据权利要求4所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第二限定层还包括阵列排布的多个第三子单元，所述第三子单元包括第三子容纳腔，所述第二子单元位于所述第三子容纳腔内，所述第二子单元和所述第三子单元之间具有间隙。

6.根据权利要求5所述的孔阵列层结构，其特征在于，

所述第二子单元的外侧开设有多个第一凹槽。

7.根据权利要求3所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第一限定层包括至少一个第一通道，所述第一通道将每相邻的至少两个所述第一容纳腔连通；和/或

所述第二限定层包括至少一个第二通道，所述第二通道将每相邻的至少两个所述第二容纳腔连通。

8.根据权利要求3所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第一限定层包括至少一个第一连通槽，所述第一连通槽沿所述第一容纳腔的径向向外延伸，所述第一连通槽背离所述第一容纳腔的一端封闭；和/或

所述第二限定层包括至少一个第二连通槽，所述第二连通槽沿所述第二容纳腔的径向向外延伸，所述第二连通槽背离所述第二容纳腔的一端封闭。

9.根据权利要求8所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第一连通槽贯通所述第一限定层。

10.根据权利要求8所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第二连通槽贯通所述第二限定层。

11.根据权利要求8所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第一限定层包括至少一个第一连通槽，至少一个所述第一连通槽形成第三容纳腔，所述第三容纳腔的直径或宽度大于所述第二容纳腔的直径或宽度。

12.根据权利要求11所述的孔阵列层结构，其特征在于，所述第一容纳腔的直径或宽度小于或等于所述第二容纳腔的直径或宽度。

13.芯片装置，其特征在于，包括：

衬底；

如权利要求1所述的孔阵列层结构，所述孔阵列层结构位于所述衬底上，所述孔阵列层结构包括阵列排布的多个孔单元，所述孔单元的第二容纳腔位于所述孔单元的第一容纳腔背离所述衬底的一侧；以及

膜层，所述膜层位于所述多个孔单元内，并且所述膜层被配置为检测待测样本。

14.一种纳米孔测序装置，其特征在于，包括权利要求1～12中任一项所述的孔阵列层结构或权利要求13所述的芯片装置。