[实用新型]一种半导体芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202120937023.0 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN215220708U 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 徐忠厚;李希;张祥贵;徐仁庆 申请(专利权)人: 赛尔特安(无锡)电子有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/367
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 林栋
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片封装结构,包括依次层叠设置的第一贴片电极、芯片和第二贴片电极,所述芯片与第二贴片电极之间焊接,其特征在于,所述第一贴片电极和芯片之间具有第一间隙,所述第一间隙内填充有第一连接层,所述第一连接层包括第一焊接层和围绕第一焊接层设置的第一隔离层,所述第一焊接层的两端面分别与第一贴片电极和芯片焊接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第一隔离层呈回字形结构,所述第一焊接层对应回字形结构的中心位置设置,且所述第一焊接层对应芯片的安装面的中心位置设置。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第一焊接层与所述第一隔离层的表面齐平。

4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第一焊接层与芯片的接触面积小于或等于芯片的安装面的面积的50%。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第一焊接层的厚度小于100微米。

6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第二贴片电极和芯片之间具有第二间隙,所述第二间隙内填充有第二连接层,所述第二连接层包括第二焊接层和围绕第二焊接层设置的第二隔离层,所述第二焊接层的两端面分别与第二贴片电极和芯片焊接。

7.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第二贴片电极与芯片的接触面积小于所述芯片的安装面的面积。

8.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第二贴片电极与芯片的接触面上设有凸台,所述凸台远离第二贴片电极的一端面与芯片接触且所述凸台与芯片的接触面积小于所述芯片的安装面的面积。

9.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,所述第二贴片电极设有弯折部,所述弯折部上设有通孔。

10.根据权利要求1所述的一种半导体芯片封装结构,其特征在于,还包括壳体,所述壳体包覆芯片、第一贴片电极和第二贴片电极,所述第一贴片电极部分伸出壳体外部且所述第一贴片电极伸出至壳体外部的部分上设有限位孔。

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