[实用新型]一种半导体芯片封装结构

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体芯片封装结构，包括依次层叠设置的第一贴片电极、芯片和第二贴片电极，所述第一贴片电极和芯片之间具有第一间隙，所述第一间隙内填充有第一连接层，所述第一连接层包括第一焊接层和围绕第一焊接层设置的第一隔离层，所述第一焊接层的两端面分别与第一贴片电极和芯片焊接；在焊接层的外围设置隔离层，可防止焊接材料溢出，有效提升焊接工艺效率，同时，在芯片和第一贴片电极之间采用局部焊接的方式，缩小了芯片与第一贴片电极的焊接面积，从而有效减小了芯片的热应力，防止器件开裂和故障。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体芯片封装结构。

背景技术

现有的半导体芯片封装通常为通过焊料合金回流、导电环氧树脂等安装在贴片电极上，安装好的半导体芯片包封于环氧化合物等材料中。随着对半导体器件的功率要求提高，半导体芯片的面积也逐渐增大，而如图1所示，对于大面积半导体芯片，芯片的热应力较高，尤其是靠近第一贴片电极的一侧的热应力过大，因此很容易出现由于热应力而开裂或导致器件故障，因此，本申请旨在提供一种可有效减少芯片热应力的半导体芯片局部封装结构。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种有效减少芯片热应力的半导体芯片封装结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种半导体芯片封装结构，包括依次层叠设置的第一贴片电极、芯片和第二贴片电极，所述芯片与第二贴片电极之间焊接，所述第一贴片电极和芯片之间具有第一间隙，所述第一间隙内填充有第一连接层，所述第一连接层包括第一焊接层和围绕第一焊接层设置的第一隔离层，所述第一焊接层的两端面分别与第一贴片电极和芯片焊接。

进一步的，所述第一隔离层呈回字形结构，所述第一焊接层对应回字形结构的中心位置设置，且所述第一焊接层对应芯片的安装面的中心位置设置。

进一步的，所述第一焊接层与所述第一隔离层的表面齐平。

进一步的，所述第一焊接层与芯片的接触面积小于或等于芯片的安装面的面积的50％。

进一步的，所述第一焊接层的厚度小于100微米。

进一步的，所述第二贴片电极和芯片之间具有第二间隙，所述第二间隙内填充有第二连接层，所述第二连接层包括第二焊接层和围绕第二焊接层设置的第二隔离层，所述第二焊接层的两端面分别与第二贴片电极和芯片焊接。

进一步的，所述第二贴片电极与芯片的接触面积小于所述芯片的安装面的面积。

进一步的，所述第二贴片电极与芯片的接触面上设有凸台，所述凸台远离第二贴片电极的一端面与芯片接触且所述凸台与芯片的接触面积小于所述芯片的安装面的面积。

进一步的，所述第二贴片电极设有弯折部，所述弯折部上设有通孔。

进一步的，还包括壳体，所述壳体包覆芯片、第一贴片电极和第二贴片电极，所述第一贴片电极部分伸出壳体外部且所述第一贴片电极伸出至壳体外部的部分上设有限位孔。

本实用新型的有益效果在于：

一种半导体芯片封装结构，通过设置隔离层将焊接区域缩小，从而实现芯片与第一贴片之间为局部焊接，进而缩小了芯片与第一贴片电极的焊接面积，有效减小了芯片的热应力，防止器件开裂和故障；同时，采用隔离层围绕焊接层的方式，可防止焊接材料溢出，从而有效提升焊接工艺效率。

附图说明

图1所示为现有半导体芯片封装结构示意图；

图2所示为本实用新型实施例一的半导体芯片封装结构示意图；

图3所示为本实用新型实施例二的半导体芯片封装结构示意图；