[实用新型]一种具有碳化硅涂层的硅片外延基座有效
| 申请号： | 202120942561.9 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN214937796U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 袁永红;周祖豪;朱佰喜 | 申请（专利权）人： | 深圳市志橙半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C30B25/12 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 于标 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 碳化硅 涂层 硅片 外延 基座 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有碳化硅涂层的硅片外延基座，其特征在于，所述基座包括基座本体、口袋和应力槽，其中，所述应力槽设置于基座本体上。
2.根据权利要求1所述的具有碳化硅涂层的硅片外延基座，其特征在于：所述应力槽以基座中心为圆心设置于所述基座本体上。
3.根据权利要求1所述的具有碳化硅涂层的硅片外延基座，其特征在于：所述应力槽的数量为1-20条，且均匀分布。
4.根据权利要求3所述的具有碳化硅涂层的硅片外延基座，其特征在于： 所述若干条应力槽以基座中心为圆心均匀设置于基座本体上。
5.根据权利要求2所述的具有碳化硅涂层的硅片外延基座，其特征在于：所述若干个口袋以圆周均布的方式设置于所述基座本体上。
6.根据权利要求1-5任一项所述的具有碳化硅涂层的硅片外延基座，其特征在于：所述应力槽的深度尺寸为0.01-25mm，槽宽尺寸为0.01-20mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
